提高习题场效应管放大电路.pdfVIP

场效应管放大电路 1．图 1 所示为 MOSFET 的转移特性，请分别说明各属于何种沟道。如是增强型，说明 它的开启电压 VT ＝？如是耗尽型，说明它的夹断电压 V P＝？（图中 i D 的假定正向为流进漏 极。） iD /mA iD/ m A 4 －1 0 1 2 vGS/V 2 －3 －3 －2 － 1 0 vGS /V iD /mA －4 －2 0 vGS/V －2 －4 （a） （b） （c） 图 1 2 ＝0.2mA/V ，V ＝0.5V ，i ＝－ 0.5mA （假 2．已知 P 沟道耗尽型 MOSFET 的参数为 KP P D 定正向为流进漏极） 。试求此时的预夹断点栅源电压 v GS 和漏源电压 vDS 等于多少？ 2 3．设 N 沟道增强型 MOSFET 的参数为 VT ＝1V ，W＝100 m，L＝5 m， n＝650cm /V ·s， Cox ＝76.7 ×10－ 9F/cm2 。当 VGS ＝2VT ，MOSFET 工作在饱和区，试计算此时场效管的工作电 流 ID 。 4 ．电路如图 4 所示，设 R ＝90k Ω，R ＝60k Ω，R ＝30k Ω，V ＝5V ，V ＝1V ，K g1 g2 d DD T n ＝0.1mA/V 2 。试计算电路的漏极电流 ID 和漏源电压 V DS 。 VDD Rd R i g1 d D T g