《硅集成电路工艺基础》-公开课件.ppt

氧化物厚度的测量-椭偏法 氧化物厚度的测量-光反射法 2.7、Si-SiO2界面特性 在SiO2内和Si-SiO2界面中有四种类型的电荷，各种不同类型的电荷的符号和术语如下： (1)单位面积里可动离子电荷： Qm(C/cm2)； (2)单位面积里氧化层固定电荷： Qf(C/cm2)； (3)单位面积里界面陷阱电荷： Qit(C/cm2)； (4)单位面积里氧化层陷阱电荷： Qot(C/cm2)。 可动离子电荷：Qm(C/cm2) SiO2中最重要的可动离子电荷主要是以网络改变者形式存在的、荷正电的碱金属离子。由于Na+大量存在于环境中，因此是主要污染源。 存在于 SiO2 中的 Na+ ，即使在低于200℃的温度下，在氧化层中也具有很高的扩散系数。由于Na是以离子的形态存在，其迁移能力因氧化层中存在电场而显著提高，加在MOS器件绝缘层上的电场强度很大， Na+在电场作用下，可以有显著的漂移，将对器件参数产生重要影响。 为了降低Na+的玷污，可以在工艺过程中采取预防措施包括：①使用含氯的氧化工艺；②用氯周期性地清洗管道、炉管和相关的容器；③使用超纯净的化学物质；④保证气体及气体传输过程的清洁。另外保证栅材料不受玷污也是很重要的。 氧化层和栅材料中的可动离子数可以用C-V 技术来测量，称为偏温测试(B-T)。过程如下： 首先对MOS电容进行一次C-V 测试； 在栅极上加一个大约1MV/cm的正向偏压同时把器件加热到200~300℃。当到达预定温度时，栅极电压再维持10-30分钟，从而确保可动离子都到达了Si-SiO2界面。然后保持偏压，同时器件冷却至室温； 再次测量 C-V 特性； 两次测试(加温加压前和加温加压后)平带电压的变化ΔFB就等于Nm/qCox或Nmxox/qεoxε0，其中Nm (个/cm2)为单位面积里移动离子电荷数。 可动离子电荷的测量 氧化物C-V的测量 界面陷阱电荷：Qit(C/cm2) 界面态或称界面陷阱电荷Q f 是指存在于Si-SiO2界面、能量处于硅禁带中、可以与价带或导带能够方便交换电荷的那些陷阱能级或电荷状态。这些界面态是分布在硅的禁带之中，因此定义每单位能量上的界面陷阱密度为Dit，单位是：个/cm2eV。 如图表示，在禁带中Dit随能量变化的两组曲线。Dit的曲线是u字形，最低的地方在禁带的中间，最高处则在禁带的两边。 (111)硅在能带中间的陷阱密度大约比(100)硅要高5倍。 界面态使MOS晶体管的阈值电压漂移； 使MOS电容的C-V曲线发生畸变； 界面态还可以成为有效的复合中心，导致漏电流的增加； 减小MOS器件沟道的载流子迁移率，使沟道电导率减小，降低器件性能。 界面态密度与衬底晶向、氧化层生长条件和退火条件密切有关。在相同的工艺条件下、(111)晶向的硅衬底产生的界面态密度最高，(100)晶向的最低。 二氧化硅中固定电荷：Qf(C/cm2) 固定氧化层电荷Qf通常是带正电，但是在某些情况下也可能带负电，它的极性不随表面势和时间的变化而变化。 Qf是由在Si-SiO2界面的电荷所组成，通常是由Si-SiO2之间过渡区的结构改变引起的。 固定氧化层电荷的能级在硅的禁带以外，但在SiO2禁带中，如右图。 氧化层陷阱电荷：Qot(C/cm2) 氧化层陷阱电荷Qot，位于SiO2中和Si-SiO2界面附近，这种陷阱俘获电子或空穴后分别荷负电或正电。 在氧化层中有些缺陷能产生陷阱，这些缺陷有：①悬挂键；②界面陷阱；⑤硅-硅键的伸展；④断键的氧原子(氧的悬挂键)；⑤弱的硅-硅键(它们很容易破裂，面表现电学特性)。⑥扭曲的硅-氧键；⑦Si-H和Si-OH键。氧化层陷阱的存在会严重影响器件的可靠性。 产生陷阱电荷的方式主要有电离辐射和热电子注入等。 减少电离辐射陷阱电荷的主要方法有三种： (1)选择适当的氧化工艺条件以改善SiO2结构。为抗辐照，氧化最佳工艺条件，常用1000℃干氧氧化。 (2)在惰性气体中进行低温退火(150-400℃)可以减少电离辐射陷阱。 (3)采用对辐照不灵敏的钝化层，例如A12O3，Si3N4等。 热氧化法 SiO2在集成电路中的应用主要 哪些？ 热氧化法常用的氧化源有哪些？采用不同氧化源制备SiO2，其各自的特点是什么？ 在集成电路工艺中，制备厚的SiO2层主要采用什么氧化方式，其主要优点是什么？ 根据迪尔-格罗夫模型，定性分析在洁净的硅表面热氧化生长SiO2的生长过程。 决定氧化速率常数的两个重要工