光控器件的基础.pptxVIP

第一章 光控器件的基础;第一节 光的偏振;1-1 偏振光概述;2、偏振光（Polarized light）： 光矢量的方向和大小有规则变化的光 线偏振光（Linearly polarized light）：光矢量方向不变，其大小随位相变化。 圆偏振光（Circularly polarized light）：光矢量大小不变，其方向绕传播方向均匀转动，且矢量末端轨迹为圆。 椭圆偏振光（Elliptically polarized light）：光矢量大小和方向都在有规律地变化，且矢量末端轨迹为椭圆。;偏振光方程;振动平面： 光矢量与传播方向组成的平面称为线偏振光的振动???面;;2) 圆偏振光(Circularly polarized light);3) 椭圆偏振光 (Elliptically polarized light);仅当X,Y方向分量的 相位相差±π/2时， 才为正椭圆。;;1-2 偏振光的矩阵表示;若光矢量沿x轴，Ex0=1 Ey0=0 ?=0 ，则：;2、圆偏振光的归一化(Normalization)琼斯矢量;1-3 偏振器件(Polarizing optics)的矩阵表示;解：光线的偏振状态为：;由此得线偏振器的琼斯矩阵为：;第二节 晶体光学基础;2-1 晶体的空间点阵理论和晶系的划分;2-1 晶体的空间点阵理论和晶系的划分;2-1 晶体的空间点阵理论和晶系的划分;四、晶胞和晶系;立方晶系;金刚石结构－硅和锗;闪锌矿结构－InP, GaAs系化合物半导体;纤锌矿结构（六方晶系）－GaN系化合物半导体;2-2 晶体(Crystal)的双折射(Birefringence)现象;2-2 晶体(Crystal)的双折射(Birefringence)现象;2-2 晶体(Crystal)的双折射(Birefringence)现象;;二、晶体特性; 在双折射晶体中存在一个特殊的方向，当光束沿这个方向传播时不发生双折射，此方向称为晶体的光轴。;2、主平面(Principal plane);3．晶体的分类（Types of crystal）：;4 晶体的光学各向异性及其描述;介电系数张量;介电系数张量; 说明晶体中的光波的D，E关系与E的方向有关，一般情形下D不再与E同向。;(2) 折射率椭球和晶体的分类;(2) 折射率椭球和晶体的分类;实例;正晶体：no ? ne，e光波面（椭球面）在o光波面（球面）之内。; 考虑沿 y-z 平面内与 z 轴夹角为 θ 的传播方向上所允许的两个正 交偏振态及相应的折射率。;5 晶体偏振器件-波片（ Wave plate, 位相延迟器 ）;快轴(Fast axis) ：称晶体中传播速度快的光矢量(Light vector)方向为快轴。;则称该波片是1/4波片，1/4波片的最小厚度：;O光和e光产生的光程差;线偏振光通过半波片后光矢量的转动;3、全波片(Full-wave plate);λ/4波片：;注意;例2：;Poincare(邦加或庞加莱)球; Stokes矢量和Stokes参数; 在外界强电场的作用下，某些本来是各向同性的介质会产生双折射现象，而本来具有双折射现象的晶体，其双折射性质也会发生变化。;一、电光效应的基本概念;一、电光效应的基本概念;二、线性电光效应;立方晶体;在外电场存在时的折射率椭球方程; 这里，当ij=11时用1代替，当ij=22时用2代替，当ij=33时用3代替，当ij=23，32时用4代替，当ij=13，31时用5代替，当ij=12，21时用6代替;表示成矩阵形式为：;二、线性电光效应;InP, GaAs等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料(立方晶系);外场作用下晶体的折射率主轴; 在 z 方向外场 Ez 作用下, KDP晶体折射率椭球系数矩阵的非零矩阵元为:; 在 z 方向加外场 Ez 时, 轴z仍是主轴，但xy已经不是主轴了，在新的主轴系中的折射率椭球：;另一种求在新的主轴系中的折射率椭球方程的方法;（一） 纵向电光效应;（一） 纵向电光效应;当光波的两个垂直分量的光程差为半个波长时（即相应的相位差为?），所需要加的电压为半波电压，一般以V?/2或V?表示。;优点: 结构简单; 工作稳定; 无自然双折射的影响，不需进行补偿。 缺点: 半波电压太高，功率损耗较大.;（二）横向电光效应;（二）横向电光效应;（二）横向电光效应;三、二次电光效应[克尔（Kerr)效应];引入位相差：;三、二次电光效应[克尔（Kerr)效应];第四节 声光、磁光控制器件的物理基础;第四节 声光、磁光控制器件的物理基础;三、声光效应分类 根据声波波长、光波波长和