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2.2.3影响硅太阳电池P扩散的因素 片源（成分、结构、缺陷等） 温度 时间 气体流量（浓度梯度分布） 洁净度 其他 * 2.2.4 硅太阳电池的扩散方法 2.2.4.1扩散方法 三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 喷涂磷酸水溶液后链式扩散 丝网印刷磷浆料后链式扩散 目前公司采用第一种方法。 * 2.2.4.2三氯氧磷（POCl3）液态源扩散 生成的PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片的表面状态。所以通入O2，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气（Cl2）。 * 2.2.5 扩散设备及简化示意图 * * 扩散装置示意图 * 2.2.6 影响方阻的因素 反应温度 反应时间 气体流量 淀积温度 掺杂浓度 结深 方块电阻 * 2.3 后清洗工艺简介 扩散过程中，虽然采用背靠背扩散，硅片的边缘将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 同时，由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层二氧化硅，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG。 后清洗的目的就是进行边缘刻蚀和去除PSG。 2.3.1后清洗的目与原理 * rena的后清洗设备 2.3.2 RENA湿法刻蚀原理: 利用HNO3和HF的混合液体对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘。 边缘刻蚀原理反应方程式： 3Si + 4HNO3+18HF =3H2 [SiF6] + 4NO2 + 8H2O 2.3.3刻蚀中容易产生的问题 1.刻蚀不足：边缘漏电，Rsh下降，严重可导致失效 检测方法：测绝缘电阻 2.过刻：正面金属栅线与P型硅接触，造成短路 检测方法：称重及目测 2.3.4去除磷硅玻璃的目的： 1) 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。 2) 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 3) 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差。 去PSG原理方程式： SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] SiO2+ 6HF=H2[SiF6]+2H2O 去PSG工序检验方法： 当硅片从HF槽出来时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净，可在HF槽中适当补些HF。 后清洗工艺步骤： 边缘刻蚀→碱洗 →酸洗→吹干 RENA InOxSide后清洗设备的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。 Etch bath Rinse1 Alkaline Rinse Rinse2 HF bath Rinse3 Dryer2 2.3.5后清洗设备构造 Etch bath：刻蚀槽，用于边缘刻蚀。 所用溶液为HF+HNO3+H2SO4， 作用：边缘刻蚀，除去边缘PN结，使电流朝同一方向流动。 注意扩散面须向上放置， H2SO4的作用主要是增大液体浮力，使硅片很好的浮于反应液上（仅上边缘2mm左右和下表面与液体接触）。 Alkaline Rinse：碱洗槽 。 所用溶液为KOH， 作用：中和前道刻蚀后残留在硅片表面的酸液。 HF Bath：HF酸槽 。 所用溶液为HF， 作用：中和前道碱洗后残留在硅片表面的碱液；去PSG 2.3.6后清洗操作界面 * 2.4 PECVD工艺简介 * 2.4.1 PECVD工艺目的 SiNx:H 外部形貌--减反射膜 镀减反射膜可以有效降低光的反射 内部机理--钝化薄膜（n+发射极） 薄膜中的H能够进入硅晶体中,钝化硅中的缺陷,降低表面态密度,抑制电池表面复合，增加少子寿命，从而提高太阳电池Isc和Voc * 减反射效果与光波长的关联 可见光的波谱分布 2.4.2减反射效果 * 通入的特气（硅烷和氨气）在高温和射频电源的激发下电离，形成等离子态，并沉积在硅片的表面。膜的厚度主要与温度，腔体内射频电源的功率和镀膜时间有关。 反应室通入反应气体 硅烷 SiH4 氨气 NH3 在射频电源的激发下电离形成等离子态 SiNx:H沉积在硅片上 2.4