低频电子电路何丰教学文案.pptVIP

1.2.2　有电压时PN 结的导电能力 1 PN 结的电阻特性 P+ N 内建电场 E l0 + - V PN 结正偏 空间电荷区变薄 空间电荷区内建电场减弱 多子扩散 少子漂移 扩散形成较大的电流 PN 结导通 I 电压 V ? 电流 I ?? 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结——导电原理 扩散电荷被电源吸收和补充 P+ N 内建电场 E l0 - + V PN 结反偏 空间电荷区内建电场增强 少子漂移多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流 IS PN 结接近截止 IR IS 与 V 近似无关。 温度 T ? 电流 IS?? 结论：PN 结具有单方向导电特性。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 阻挡层变宽 少子被电源吸收和补充 PN 结——伏安特性方程式（ PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： 热电压 ? 26 mV(室温) 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 ） PN 结——伏安特性曲线（ -IS Si Ge Vj(on) Vj(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 Vj(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A vj = Vj