材料学基础《功能材料学》.pptVIP

三维密堆积的三种典型型式 A1型 密置层重复方式：ABCABC 晶胞: 面心立方， Z＝4，CN=12 空间占有率(密堆积系数) 代表金属：自然金 做立方最紧密堆积， 晶胞为立方面心格子 A3 型：六方最紧密堆积 密置层重复方式：ABAB 晶胞:六方, Z＝6,CN=12(6绿+3红+3黄)； 空间占有率(密堆积系数) 代表金属：纯金属MG 　六方格子的顶点位置，同时若把一个六方分割成六个三方柱体，则在１/2三方柱体的体中心有原子占据。 A2型:体心立方 晶胞:体心立方, Z＝2, CN=8； 空间占有率(密堆积系数) 液态铁结晶后形成体心立方 液态铁结晶后是体心立方晶格，称为δ-Fe； 在1394℃以下转变为面心立方晶格。 　　可见体心立方结构是高温相，而面心立方结构是低温相。在常温下铁的晶体结构有向面心立方转变的趋势。 总结： 金属单质的常见结构形式中，A2不是最紧密堆积形式； 金属单质做最紧密结构堆积时，其密堆积系数相同。 1.3.2 典型晶体结构 NaCl型晶体 顶点处的Cl 面心处的Cl Na 晶系：立方晶系 离子排布： Cl－按立方面心排布，Na＋填充于所有的八面体空隙。 配位数： CN(Na＋)＝CN(Cl－)＝6 金刚石型晶体 顶点处的C 面心处的C 小立方体体心处的C 晶系：立方晶系 离子排布： C按立方面心排布，同时交替填充于1/2小立方体的体心。 配位数： CN(C)＝4 闪锌矿(β-ZnS)型晶体 晶系：立方晶系 离子排布： S2-按立方面心排布，Zn2+交替填充于1/2小立方体的体心。 配位数： CN(S2-)＝CN(Zn2+)＝4 顶点处的S2- 面心处的S2- Zn2+ CsCl型晶体 晶系：立方晶系 离子排布： Cl-按简单立方排布，占据立方原始格子的顶点，Cs+分布在立方体的体心。 配位数： CN(Cl-)＝CN(Cs+)＝8 纤锌矿(α-ZnS)型晶体 晶系：六方晶系 离子排布： S2-按六方最紧密堆积排布，Zn2+交替填充于1/2四面体空隙中。 配位数： CN(S2-)＝CN(Zn2+)＝4 萤石 (CaF2)型晶体 顶点处的Ca2+ 面心处的Ca2+ F－ 晶系：立方晶系 离子排布： Ca2+按立方面心排布，F-填充于八个小立方体的体心。 配位数： CN(F-)＝4 CN(Ca2+)＝8 练习：二元化合物中的配位数 　　　与化学计量数的关系？ 练习：二元化合物中MXＫY中正负离子的配位数之比？ 正离子的ＣＮ（Ｍ）＝n（Ｋ） 负离子的ＣＮ（Ｋ）＝ｎ（Ｍ） 由于电中性的要求：n（Ｋ）×Ｑ（Ｋ）＝ｎ（Ｍ）×Ｑ（Ｍ） 由此：ＣＮ（Ｍ） ×Ｑ（Ｋ）＝ ＣＮ（Ｋ）×Ｑ（Ｍ） ＣＮ（Ｍ） ：ＣＮ（Ｋ） ＝ Ｑ（Ｍ） ：Ｑ（Ｋ） 由化学计量数及电中性要求可得：x.Ｑ（Ｍ） ＝y.Ｑ（Ｋ)　　　　 Ｑ（Ｍ）：Ｑ（Ｋ)＝ｙ：ｘ 故：ＣＮ（Ｍ） ：ＣＮ（Ｋ） ＝ｙ：ｘ 即：正负离子的配位数之比等于其化学计量数的倒数比。 注意：此法仅适用于二元化合物。 钙钛矿(CaTiO3)型晶体 晶系：立方晶系 离子排布： Ca2＋和O2－共同做立方最紧密堆积排布，其中Ca2＋ 占据立方面心格子的顶点， O2－占据面心；Ti4＋位于立方格子的体心位置。 Ca2＋ O2－ Ti4+ 配位数： CN(Ti4＋)＝CN(O2－)＝6；CN(Ca2＋)=12 尖晶石(AB2O4)型晶体 晶系：立方晶系 离子排布： O2－做立方最紧密堆积排布(立方面心)，二价的A离子填充于1/8的四面体空隙，三价的B离子填充于1/2的八面体空隙——正尖晶石； O2－做立方最紧密堆积排布(立方面心)，二价的A离子填充于八面体空隙，三价的B离子一半填充于四面体空隙，一半填充于八面体空隙——反尖晶石。 1.4 晶体缺陷 实际晶体与理想晶体总存在某种程度的偏离，主要体现在以下几个方面： 理想晶体是在三维空间无限延伸的，而实际晶体的晶粒总是有限的，最边缘处的粒子排布必然存在边界性，即与内部粒子不具有等同性； 但由于边界出的粒子数相对内部粒子数较少，所以科学上允许合理近似，忽略不计，所以实际晶体的晶格仍然是无限点阵结构； 粒子总是在平衡位置出“热震动”，因此没有绝对固定的位置，严格意义上即不是严密周期性； 但热振动振幅相对晶格周期太小，可忽略，且内部质点的振动具有同步性，因此仍把晶体结构看成周期性点阵结构； 实际晶体中缺陷在所难免，按其几何形状可分为： 点缺陷：在三维空间中各个方向上的尺寸都很小的缺陷； 线缺陷：原子尺寸的局部缺陷扩展分布在一维线度上成为线缺陷； 面缺陷：晶体周期性破坏扩展在的一个面两旁原子尺寸范围内的二维缺陷。 1