固态相变1.6固态相变形核规律.pptVIP

1.6 固态相变的形核规律 通过涨落形成临界晶核尺寸的核胚，形成临界晶核的过程称为形核。 形核率指的是在单位时间和单位体积内形成的晶核数目。 均匀形核及非均匀形核 1）晶体中存在晶体缺陷，晶体缺陷具有能量△Gd，它对形核会产生一定影响。固态相变过程几乎都是非均匀的。 2）当△Gd=0时，晶核将均匀形成，称均匀形核。 3）当△Gd0时,晶核将在具有缺陷能△Gd的晶体缺陷处形成，此称不均匀形核。 首先讲述均匀形核,然后再学习非均匀形核。 1.6.1 均匀形核 如果母相中任何形核地点都具有相同的驱动力和阻力，因而形核的几率也就相同，即满足△Gd=0时，这时形核是均匀的。 均匀相变时的自由焓的变化 ： 现将式整理，得： 当满足UA|ΔGA|,则ΔG—n关系式可以做成如图1-9的曲线 对（1-18）式微分求极值，可得临界晶核原子数n*，和临界晶核形成功 求出表面能大小： 形核功与表面能的比较，以（1-25）除以（1-26），得： 说明临界形核功等于表面能的1/3。 这部分能量是正值，是系统能量升高的因素，从何而来？它是系统自组织功能的作用而提供的。即能量涨落提供的。 讨论： （1）只有满足 ,即应变能阻力小于驱动力时，为正值，固态相变才可能发生，否则，为负值，即无晶核。 （2）当相变阻力增大到 时，临界晶核为无穷大，为临界状态。可见，当畸变能大时，必须有足够的过冷度，否则相变不能发生。 (3) 与液体金属凝固时的临界晶核相比，固态相变中增加了应变能项UA。因此，临界晶核尺寸、形核功、表面能都在增大，表明固态相变中形核困难。 为了使固态相变进行下去，系统自身发挥自组织功能，调整应变能和表面能的大小，如改变晶核的形状，共格对应关系等，从而降低UA ，或降低表面能，以便使相变进行下去。 1.6.2 非均匀形核 晶体缺陷对形核的促进作用体现在： （1）母相界面有现成的一部分，因而只需部分重建； （2）原缺陷能可以贡献给形核功，使形核功变小； （3）界面处扩散速率比晶内快得多； （4）相变引起的应变能可较快地通过晶界流变而弛豫； （5）溶质原子易于偏聚在晶界处，这有利于提高形核率。 非均匀形核时，系统自由焓变化中多了一项负值，可写成： 式中ΔGD为晶体缺陷内每一个原子的自由能增值，n′为缺陷向晶核提供的原子数。 (1)晶界形核 晶界形核受界面能和晶界几何状态的影响，即与界面、界棱、界隅有关。 在不同的界面处，新相晶核可有不同的形状。 界面形核 自由焓的变化 ?(2)晶棱形核 形核功： △G V —新旧相体积自由焓变化； △GE —弹性应变能 晶界不同部位对形核的贡献不等，如图1-12所示。可见，晶核最容易在界隅形成，其次是晶棱，再次是界面。 虽然界面形核不如晶棱及界隅容易，但由于界面面积大，界面上提供的形核位置多，将以界面形核为主。 图1－12 形核功与cosθ的关系 (4)位错形核 ①围绕着位错形核后，位错消失的部分释放出相应的畸变能； ②对于半共格界面形核，原有的位错可以作为补偿错配的界面位错，使形核时的能量增值减小。 ③溶质原子常在位错线上偏聚，位错又是扩散的通道，此处容易满足新相成分上的需求。 位错形核示意图 Fe-1.03Cu合金550℃时效的组织  在位错线L上形成一个半径r、长度为l的新相，则形成单位长度的晶核时的系统自由焓的变化为： ΔGD =πr2 + 2πrσ-Alnr 位错形核自由焓的变化