半导体制程技术导论chapter1导论.pptxVIP

参考书籍Hong Xiao. Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology. SPIE. 2012萧宏. 半导体制造技术导论. 电子工业出版社，2012施敏. 半导体器件物理与工艺. 苏州大学出版社, 2002Peter Van Zant. 芯片制造——半导体工艺制程实用教程. 电子工业出版社Michael Quirk, Julian Serda. 半导体制造技术. 电子工业出版社. 2009目标读完本章之后，你应该能够：熟悉半导体相关术语的使用描述基本的集成电路制造流程简明的解释每一个制程步骤将你的工作或制造产品与半导体制造工艺相结合，并建立它们之间的联系主题简介集成电路组件和设计半导体制程未来的走向简介第一个晶体管,ATT贝尔实验室, 1947第一个单晶锗, 1950第一个单晶硅, 1952第一个集成电路组件, 德州仪器, 1958第一个硅集成电路芯片, 费尔查德照相机公司, 1961第一个晶体管, 贝尔实验室, 1947照片提供:ATT档案财产，授权同意本书翻印使用第一个晶体管的发明者约翰?巴定，威廉?肖克莱 和 华特?布莱登照片提供:Lucent Technologies Inc.1958年德州仪器的杰克克毕制造出的第一个集成电路芯片(棒)照片提供: 德州仪器1961年费尔查德摄影机公司在硅晶圆上制出的第一个集成电路照片提供:Fairchild Semiconductor International摩尔定律1964年哥登?摩尔(英特尔公司的共同创始人之一)价格不变之下，计算机芯片上的组件数目，几乎每12个月就增加一倍1980年代减缓至每18个月到目前仍属正确，预期可以维持到2015-2020年摩尔定律(英特尔版本)TransistorsPentium III10M80486Pentium180868028610K404080801K197519801985199019952000IC的尺度---集成电路芯片的积体化层级积体化层级缩写芯片内的组件数目小型集成电路(Small Scale Integration)SSI2 ~ 50中型集成电路(Medium Scale Integration)MSI50 ~ 5,000大规模集成电路(Large Scale Integration)LSI5,000 ~ 100,000极大规模集成电路(Very Large Scale Integration)VLSI100,000 ~ 10,000,000超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration)ULSI10,000,000~ 1,000,000,000特大规模集成电路(Super Large Scale Integration)SLSI超过 1,000,000,000整体的半导体工业道路图199519971999200120042007最小图形尺寸(mm)0.350.250.150.130.100.07DRAM位数/芯片位的单位成本(千分之一美分)64M256M1G4G16G64G0.0170.0070.0030.0010.00050.0002微处理器晶体管数目/cm2晶体管的单位成本(千分之一美分)4M7M13M25M50M90M10.50.20.10.050.02ASIC晶体管数目/cm2晶体管的单位成本(千分之一美分)2M4M7M13M25M40M0.30.10.050.030.020.01晶圆尺寸 (mm)200200200~300300300300~400芯片尺寸与晶圆尺寸的相对性展示芯片或晶粒以0.28微米技术制造的晶粒以0.20微米技术以0.14微米技术1997年NEC 制造最小的晶体管上匣极下匣极介电质源极汲极++nn超浅接面P型芯片小于0.014 微米 匣极的宽度照片提供:NEC CorporationIC几何上的限制原子的大小IC组件的限制原子大小： 数个埃( ?)形成一个组件需要一些原子一般最后的限制在100?或 0.01 微米大概30 个硅原子IC设计: 第一颗IC照片提供: 德州仪器IC设计:CMOS反相器Vin(a)VddNMOSPMOSVssVout浅沟绝缘槽(STI)N-信道组件区 N-通道 Vt N-通道LDD N-通道S/DP-信道组件区 P-通道 Vt P-通道LDD P-通道S/D(b)P型井区N型井区 多晶硅匣极和局部互连第一层金属Contact第一层金属,AlCuWPMDnnpp++++STI(c)P型井区N型井区P型垒晶层iP型晶源实际CMOS反相器版图CMOS反相器的布局图和光刻版相位移光刻版展示图(光刻/倍缩光刻)薄胶膜铬金属图案相位移涂布物石英基板光刻工艺：借助光刻胶将