《芯片制造流程简介》.pptVIP

半导体行业-芯片制造;什么是芯片？;1、改变世界的两周假期------集成电路之父：杰克·基尔比（JackKilby） 2、模拟器件领域的乔布斯-----鲍伯·韦勒 3、赛灵思的联合创始人-----Rossfreeman 4、IT行业一个神话-----戈登摩尔 5、“晶体管之父”-----肖克利 ;IT行业一个神话-----戈登摩尔;全球芯片公司排名;1.IC设计 2.芯片制造 3.晶圆测试 4.IC封装与组装;1.IC设计;1.1 数字电路（逻辑设计）;1.2 模拟电路设计（仿真信号处理）;1.3 仿真与测试;版图绘制（按客户给的规则排版）;版图与电路匹配检查;2.芯片制造：从沙子到芯片，CPU是如何制造出来的（短片） 2.1、沙子 / 硅锭 硅是地壳中含量位居第二的元素。常识：沙子含硅量很高。硅 --- 计算机芯片的原料 --- 是一种半导体材料，也就是说通过掺杂，硅可以转变成导电性良好的导体或绝缘体。[注：半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的一种材料。掺杂是一种手段，通常加入少量其它某种元素改变导电性。熔融的硅 --- 尺寸：晶圆级 (~300毫米 / 12英寸) 为了能用于制造计算机芯片，硅必须被提纯到很高的纯度(10亿个原子中至多有一个其它原子，也就是99.9999999%以上) 硅在熔融状态被抽取出来后凝固，该固体是一种由单个连续无间断的晶格点阵排列的圆柱，也就是硅锭。单晶硅锭 --- 尺寸：晶圆级(大约300毫米/12英寸) 硅锭的直径大约300毫米，重约100千克。单晶硅就是说整块硅就一个晶体，我们日长生活中见到的金属和非金属单质或化合物多数以多晶体形态存在。 ;2.2、硅锭 / 晶圆切割 --- 尺寸：晶圆级(大约300毫米/12英寸)硅锭被切割成单个的硅片，称之为晶圆。 每个晶圆的直径为300毫米，厚度大约1毫米。晶圆 – 尺寸：晶圆级(大约300毫米/12英寸)晶圆抛光，直到无瑕，能当镜子照。Intel从供货商那里购买晶圆。目前晶圆的供货尺寸比以往有所上长，而平均下来每个芯片的制造成本有所下降。目前供货商提供的晶圆直径300毫米，工业用晶圆有长到450毫米的趋势。在一片晶圆上制造芯片需要几百个精确控制的工序，不同的材料上一层覆一层。下面简要介绍芯片的复杂制造过程中几个比较重要的工序。 ;2.3、光刻光刻胶的使用 --- 尺寸：晶圆级(??约300毫米/12英寸) 光刻是用一种特殊的方法把某种图像印到晶圆上的过程。开始时使用一种称为光刻胶的液体，把它均匀的浇注到旋转的晶圆上。光刻胶这个名字的来源于是这样的，人们发现有一种物质对特定频率的光敏感，它能够抵御某种特殊化学物质的腐蚀，蚀刻中涂覆刻它可起到保护作用，蚀掉不想要的材质。曝光 --- 尺寸：晶圆级(大约300毫米/12英寸)光刻胶硬化后，用一定频率的紫外线照射后变得可溶。曝光过程需要用到膜片，膜片起到印模的作用，如此一来，只有曝光部分的光刻胶可溶。膜片的图像(电路)印到了晶圆上。电路图像要经过透镜缩小，曝光设备在晶圆上来回移动多次，也就是说曝光多次后电路图才能彻底印上去。[注：跟古老的照相机底片的原理类似]溶解光刻胶 --- 尺寸：晶圆级(大约300毫米/12英寸)通过化学过程溶解曝光的光刻胶，被膜片盖住的光刻胶保留下来。;2.4、离子注入 离子注入 --- 尺寸：晶圆级(大约300毫米/12英寸) 覆盖着光刻胶的晶圆经过离子束(带正电荷或负电荷的原子)轰击后，未被光刻胶覆盖的部分嵌入了杂质(高速离子冲进未被光刻胶覆盖的硅的表面)，该过程称为掺杂。由于硅里进入了杂质，这会改变某些区域硅的导电性(导电或绝缘，这依赖于使用的离子)。这里展示一下空洞(well)的制作，这些区域将会形成晶体管。[注：据说这种用于注入的带电粒子被电场加速后可达30万千米/小时] 去除光刻胶--- 尺寸：晶圆级(大约300毫米/12英寸)离子注入后，光刻胶被清除，在掺杂区形成晶体管。 晶体管形成初期 --- 尺寸：晶体管级(大约50～200纳米) 图中是放大晶圆的一个点，此处有一个晶体管。绿色区域代表掺杂硅。现在的晶圆会有几千亿个这样的区域来容纳晶体管。;2.5、刻蚀 刻蚀 --- 尺寸：晶体管级(大约50～200纳米) 为了给三门晶体管制造一个鳍片(fin)，上述光刻过程中，使用一种称为硬膜片(蓝色)的图像材料。然后用一种化学物质刻蚀掉不想要的硅，留下覆盖着硬膜片的鳍片。;2.6、临时门的形成 二氧化硅门电介质 --- 尺寸：晶体管级(大约50～200纳米) 在光刻阶段，部分晶体管用光刻胶覆盖，把晶圆插入到充满氧的管状熔炉中，产生一薄层二氧化硅(红色)，这就造就了一个临时门电介质。 多晶硅门电极 --- 尺寸：晶体管级(大约50～200纳米)在光刻阶段，制造一层多晶硅