基于LTCC工艺的设计规范总结.docVIP

. . . . .下载可编辑. 基于LTCC工艺的设计规范总结 1．材料特性 特性 相关参数值 1．相对介电常数Er： 5.9±0.2@(1~100GH) 2．介质损耗角正切： 0.002 @（1~100GHz) 3．电阻率： at 100DVCΩ 5．层数： 最多30层 6．每层层厚： 0 7．导体厚度： 0.01mm 8．孔径： 最小直径0.1mm 可选6mil 8mil 10mil 12mil 9．密度：Density 3.2 10．镀金属： 铜（Cu）顶层：嵌入其中，中间层：上下各嵌入50％ 过孔镀银（Ag） 11.基板尺寸（最大） 105mm×105mm 12．生瓷片精度 横向平面精度：±5um 众向生瓷精度：±10um 2.导体线宽和间距 建议尺寸 最小尺寸 A B C 顶层 45um 45um 45um 内层 100um 100um 100um Note: 可能的情况下推荐更大的间距，密度过大或者焊盘过近将造成潜在的短路问题 相关参数: 网印最小线宽/间距 100um/100um 直描最小线宽/间距 50um/75um 蚀刻最小线宽/间距 45um/45um 3．导体到基板边缘的间距/和腔体间隙 推荐尺寸 最小尺寸 4．电气过孔 214 的可选通孔直径为：6mils、8mils、10mils、12mils 互连通孔最小直径：0.1mm 5.同层通孔间距 A一般取3倍于孔径尺寸 注意：散热和RF通孔排除在此标准外 相关参数：互连通孔最小节距：0.3mm 6.过孔托盘 在通孔上面和下面的托盘必须以一定的距离与通孔的所有边都重叠，除非密集布线情况时不允许使用此方法（通孔直接与导线相连） 7．基板边缘电气通孔 A值推荐3～4倍于通孔直径，最小为18～25mil 8．器件安装处通孔分布 当设计的密度需要长的通孔串时，通孔必须交错分布以防发生突然折断的裂缝。 层与层直接的电气通孔之间的交错连接：通孔采取垂直方向的交错（Z字型），以使传送通道（routing channels）的封闭(blockage)降到最小,并减小通孔的“加速效应”（posting effect）。以下是交错通孔技术的示例： 可接受的Z字形 推荐的阶梯型 堆叠通孔 通孔堆栈：说明：电连接建议使用交错通孔，在特别情况下，在同一通孔处最多可以通孔15 层。 9．地和电源面板 大面积的裸露导体区域，比如面板，必须是实心的。烧结板在所有可能的地方应该网格化。铺地的区域必须是实心的，以此在需要时提供对传输线或其他关键信号线的保护。所有铺地板的边缘（在基板的周围和腔体附近）都必须造成城形，来提升生瓷带层与层之间的迭片结构的粘合性。相邻层之间的面板的栅格形状必须是可以相互抵消(offset)的，使基板顶层和地层表面较为平整 注意：接地板的网格应尽可能的大来减小多余增量和损耗，对于大面积地面/电源面，建议使用栅格形式，对于特别情况，局部可以使用面地面/面电源面。 10．空腔 空腔底部导体与空腔壁之间的间隙 如果有必要，底部导体的电气连接可以穿过空腔壁，但是不能超过壁长的25％，最大50％，城形的金属化设计可以用来满足该设计。 裸露/烧结导体到腔体壁之间的间隙 11．通孔与腔体的间隙 通孔和腔体壁之间的间隙 连接架 注意：在设计确认前应该检查连接架上的空腔壁高度 12．空腔与空腔的间隔： 最小尺寸 注意： 烧结腔体壁长度不应超过500mils 烧结前的经机械加工的腔体壁长度不能超过2inches 最少腔体深度是一层生瓷片，连接架是经过考虑的腔体构成的。 需要检查