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第10章IGBT的设计及仿真验证本章内容一、IGBT结构简介二、IGBT元胞结构设计三、高压终端结构的设计四、IGBT工艺流程设计浙大微电子/43本章内容一、IGBT结构简介二、IGBT元胞结构设计三、高压终端结构的设计四、IGBT工艺流程设计浙大微电子/43IGBT基本结构及特点与功率MOSFET只有一层之差，即背面P型层代替N型层；电压控制型器件；具有MOS器件高输入阻抗，容易控制与双极型（BJT）器件高电流密度，低导通电阻的双重优点；广泛应用于各种功率转换、马达驱动等电力电子装置中；浙大微电子/43三种工作模式：正向导通模式： VCE＞0.7V，VGE＞VTH正向阻断模式 VCE＞0 V，VGE＜VTH反向阻断模式 VCE＜0 VIGBT结构示意图浙大微电子/43 等效电路图 电路符号 封装后产品浙大微电子/43穿通型IGBT（PT-IGBT） 非穿通型IGBT（NPT-IGBT）浙大微电子/43IGBT的闩锁效应IGBT中PNP晶体管和寄生的NPN晶体管构成类似PNPN晶闸管的结构。依据晶闸管原理，一旦这个结构导通，将处于无法关断状态，这就称为IGBT器件的闩锁效应。闩锁发生条件：当PNP和NPN两管的共基极电流放大系数之和满足以下条件：抑制闩锁：在P-base区增加P+区，减小Rs，防止寄生NPN晶体管开启。 浙大微电子/43本章内容一、IGBT结构简介二、IGBT元胞结构设计三、高压终端结构的设计四、IGBT工艺流程设计浙大微电子/43（1）IGBT的正向压降设计导通压降：优化正向压降步骤：（1）对于MOS通路相关的元胞参数栅宽LG和P-阱宽Lwell进行优化，使得MOS通路电流密度IMOS/ACELL最大；（2）对BJT通路的另一相关参数P+阱宽LDP进行合理选取，使得器件的闩锁电流阈值尽量高。 浙大微电子/43减小正向压降采取的措施：使用穿通型结构提高少子寿命N-漂移区尽量薄减小沟道电阻，降低栅氧厚度减小JFET电阻，使用沟槽栅提高开关速度采取的措施：降低少子寿命采用具有N+缓冲层的PT型结构降低PNP晶体管电流增益 开关速度和导通压降这两个参数优化有时存在着矛盾，因此必需根据设计者的需要进行折衷考虑。 浙大微电子/43（2）IGBT正向阻断电压的设计IGBT的正向阻断电压主要由J2结提供，其性能取决于N-漂移区的掺杂浓度和厚度；实际是PNP晶体管基极开路时的击穿电压BVCEO，即正向阻断电压VCE可表示为： β*为基区输运系数 γ为发射结注入效率 BVCBO为PNP发射结开路时的击穿电压浙大微电子/43通过正向阻断电压的需求来确定N-材料的电阻率与厚度对于NPT型IGBT：对于PT型IGBT：WB表示N-层中耗尽区的宽度q表示电子电荷ε表示硅介电常数 浙大微电子/43（3）元胞几何图形的考虑正向导通压降： 条形＞方形＞圆形＞MSS闩锁电流密度： MSS ＞条形方形＞圆形浙大微电子/43（4）IGBT元胞仿真实例IGBT参数设计指标及测试条件参数设计指标测试条件阈值电压VGE(th) 4V(3-5V) Ic=250uA,VCE=VGE 击穿电压VCES ≥1870V Ic=250uA,VGE=0 集电极电流IC ≥25A T=25℃ 饱和压降VCE（sat） ≤3V VGE=15V,IGE=16A 关断时间 1700ns 感性负载,VGE=15V, RG=33Ω 浙大微电子/43以Medici作为器件仿真工具进行元胞仿真由于元胞的对称性，仿真时只需建立半个元胞即可采用穿通型结构元胞长度为20.5 um（半元胞长度10.5 um），其中多晶硅长度14 um背面P+集电极掺杂浓度1E18 cm-3，结深0.4 umN+缓冲层厚度30 um，表面浓度1E16 cm-3N-漂移区厚度190 um，电阻率75 Ω-cmP-阱表面浓度3E17 cm-3，结深2.6 umP+阱表面浓度1E19 cm-3，结深3.2 umN+源区表面浓度2E20 cm-3，结深0.3 um，宽度1 um浙大微电子/43 在器件构造和仿真过程中，器件剖面结构、网格、掺杂和正向阻断电压的数据文件分别被保存在名为PROFILE、afterregrid、IGBT和bvds的这四个文件中。 浙大微电子/43medici程序运行后输出图形：器件网格分布图 （A）正面 （B）背面 浙大微电子/43X=0 um处掺杂分布 X=10.25 um处掺杂分布 器件纵向掺杂（含N型和P型杂质）浓度分布图 浙大微电子/43 器件表面横向掺杂（含N型和P型杂质）浓度的分布图浙大微电子/43在特定测试条件下器件正向阻断电压仿真图浙大微电子/43器件电力线的分布图(A)正面电力线分布;(B)背面电力线分布浙大微电子/4