二极管三极管和传感器.pptxVIP

第6章 半导体器件;学习目标及考核标准;3.三极管部分： 模拟电路中三极管的主要作用是放大，数字电路中三极管的主要作用是开关，由此了解为何能放大？结合其外特性了解应具备哪些条件才能使其放大？; 第一次大革命发生在1906年。那一年，美国人德福雷斯特发明了真空三极管。由这种真空三极管和其他一些元件（电阻、电容、电感等）组成放大电路，可以把收音机接收的信号放大十倍、百倍乃至千倍。这样，收音机就能收到更远的电台，而且音量更大、音质更好。真空三极管是靠在真空中运动的电子来实现放大的，所以人们也把它称为电子管。 ;晶体管革命 在20世纪30年代，美国的贝尔实验室里有3位值得注意的人物： 研究部主任默文·凯利、研究人员布拉顿和肖克利。凯利是一位富有创见的科技管理者， 早在30年代中期，他已经意识到用于电话交换机的机电继电器动作速度太慢，如不淘汰势必影响电话技术的进步。1936年，凯利明确地向肖克利表示，为了适应通信业务的增长，电话的机械交换必将被电子交换取代。真空管又存在许多致命的弱点，寻求建立在新材料、新原理基础上的新型电子器件便成了当务之急。; 1956年12月10日，肖克利、巴丁、布拉顿经过20年的努力终于攻克了这一难题，研制出晶体管。为此他们从瑞典国王手中接过了诺贝尔物理奖的证书。 他们为人类奉献的，不仅是一项伟大的技术发明，而且是半导体物理学的划时代的新发现。 　晶体管的发明是电子学领域的一场革命。与电子管相比，晶体管体积仅为1/100，耗电量也仅为1/100，而寿命却要长100倍。晶体管以咄咄逼“人”之势占领了原被电子管占领的舞台，到50年代末，采用晶体管的收音机、电视机已比比皆是了。; 到50年代末，人们越来越强烈地感到，一个个互相独立的元件、器件的小型化之路，将走到尽头。这是因为，一个复杂的电路，里面有大量的元器件，这些“零件”之间要用导线连接起来。大量的导线也限制了电路体积的缩小。 在科学技术发展的关键时刻，往往需要富有想象力的科学家创造全新的观念。1958年，就出现了两位这样的人物：基尔比和诺伊斯。 　1958年9月12日，基尔比的第一个集成电路实验获得成功。在这一年里，美国仙童公司的R·N·诺伊斯也研制出第一块集成电路片。 ;　到今天，集成电路已走过40多年的历程。在这40多年中，集成电路发生了巨大的变化。 　先说说在一个芯片上能集成多少个器件。1958年，集成电路诞生时，那个芯片上只有5个元器件；1971年发明的微处理器，上面集成了2，300个器件；1989年英特尔公司80486芯片，集成了120万个晶体管；今天，一个高性能的微处理器上有1，000万个器件。1998年3月，英特尔公司宣布的数字令人吃惊：它在一个硅芯片上集成了7.2亿个晶体管。 再看集成电路里半导体器件的尺寸：1959年大约是100微米，到1961年下降到25微米。1984年;研制的1兆位半导体存储器，线宽大约1微米；1990年的64兆位半导体存储器，线宽降至0.3微米。人们预期，到2000年，半导体存储器容量可达1，024兆位，那时，线宽就仅有0.1微米了。0.1微米约为一般原子尺度的100倍，集成电路与分子电路已经很接近。 此外，芯片的进步还表现在运算速度上。时钟频率决定着芯片完成一次运算的速度。目前，高性能微处理器运算速度高达每秒近10亿次。; 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;6.1 半导体;6.1.1 本征半导体;;本征半导体的导电机理;6.1.2 N型半导体和P型半导体; 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;6.1.3 PN结;2. PN结的单向导电性;;PN 结变宽;6.2 二极管;;6.2.2 二极管的伏安特性;6.2.3 二极管的主要参数;二极管的单向导电性; 6.2.4 二极管的主要应用 ;1.整流;;4.钳位与隔离;6.2.5 稳压二极管;3. 稳压二极管的主要参数;4. 稳压电路;有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光。;2. 光敏二极管;6.3 三极管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;6.3.2 三极管的电流分配和电流放大原理