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第8章 高速CMOS逻辑电路设计;本章概要;8.1 门延时的估计 任意逻辑门的延时 ;8.1 门延时的估计 单位晶体管;8.1 门延时的估计 反相器;8.1 门延时的估计 NAND2:公式;8.1 门延时的估计 NAND2:推导;8.1 门延时的估计 NOR2;8.1 门延时的估计 复合逻辑门;8.1 门延时的估计 复合逻辑门之实例;8.2 驱动大电容负载 反相器基本参数;8.2 驱动大电容负载 反相器驱动反相器 ;8.2 驱动大电容负载 反相器链延时问题;8.2 驱动大电容 负载优化条件;8.2 驱动大电??负载 优化目标;8.2 驱动大电容负载 延时的计算;8.2 驱动大电容负载 最优值的推导;8.2 驱动大电容负载 优化方法;8.2 驱动大电容负载 计算实例;8.2 驱动大电容负载 计入FET电容时;8.3 逻辑努力 Logical Effort;8.3 逻辑努力 参照门;8.3 逻辑努力 参照门延时的计算;8.3 逻辑努力 反相器延时的计算;8.3 逻辑努力 2级反相器链;8.3 逻辑努力 NAND/NOR门的逻辑努力计算;8.3 逻辑努力 通用计算公式;8.3 逻辑努力 优化目标;8.3 逻辑努力 实例(1);8.3 逻辑努力 实例(2);8.3 逻辑努力 实例(3);8.3 逻辑努力 延迟优化步骤;8.3 逻辑努力 级数优化:目的;8.3 逻辑努力 级数优化:特点;8.3 逻辑努力 级数优化:实例;8.3 逻辑努力 逻辑面积:定义;8.3 逻辑努力 逻辑面积:实例;8.3 逻辑努力 分支情况:定义;8.4 高速CMOS设计技巧 对大扇出的驱动;8.4 高速CMOS设计技巧 扇入的影响;8.4 高速CMOS设计技巧 减少扇入;8.4 高速CMOS设计技巧 隔离扇入与扇出;8.4 高速CMOS设计技巧 串联链尺寸设计
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