晶粒取向对焊接可靠性影响.docVIP

无铅焊点的Sn晶粒的晶体结构及各向异性 1.1无铅焊点的Sn晶粒的晶体结构 目前，球栅阵列（Ball Grid Array,BGA）、倒扣（Flip Chip,FC）等面封装形式已成为现代微电子封装技术发展的一个重要领域。为了提高封装密度，焊点尺寸不断减小，BGA焊点的直径已经达到100μm量级，而在倒扣焊中，钎料球直径可以小到40μm。根据ITRS报告，到2014年，在单个IC芯片上的I/O引脚数量将达到9000个，而微互连焊点的尺寸将减小到亚微米级。这可能引发一系列可靠性问题，比如，在这样一个几十微米甚至亚微米级焊点尺寸下，微互连焊点所包含的晶粒数目是十分有限的，而且界面金属间化合物(Intermetallic Compound,IMC)的比重相对增大，这可能对焊点的机械性能产生极大影响，相应的体积效应也不容忽视。从而，微小焊点在热疲劳和机械疲劳载荷下的力学行为将与体材料的力学行为产生显著差异。因此，研究微小互连焊点的微观力学行为具有重要的现实意义。 而在微小焊点中，无铅钎料大多为高Sn含量钎料，而β-Sn的晶体结构为体心四方结构，具有强烈的各向异性。微系统封装不断向高密度发展，互连尺寸愈加细小，尺寸小到一定程度后，接头可能仅含有有限个晶粒，其微观力学行为与描述可能与大尺寸焊接接头存在显著差异。 拉夫堡大学的J.Gong等人通过试验及模拟对微小Sn-Ag-Cu接头进行了原位剪切测试，结果表明钎焊剪切过程中，接头的非弹性行为明显依赖于焊点的微观组织，具有明显的各向异性，对于每个晶粒只有一个滑移系被激活。微小接头仅含有有限个晶粒，且接头尺寸越小，它所含的晶粒的数目也就越少。在一个晶粒内部，Sn树枝晶和相邻的共晶组织具有相同晶体取向。他们模拟发现，应力状态对晶粒取向敏感，不同晶粒取向特征的接头有不同的疲劳寿命。有些研究者通过电子背散射衍射分析(EBSD)和偏光显微分析（PLM）统计了不同体积无铅钎料及焊点的晶粒数，发现其所含晶粒数目极为有限，900μmSn-3.8Ag-0.7CuBGA钎料球最大截面平均含晶粒数目为5.0+2.2个，且一般的钎焊接头没有明显的择优取向经过PLM分析可知。 图一 不同晶向的Sn晶粒性能 不同体积SAC/Cu微焊点仅含有限晶粒。而Sn晶体具有强烈的各向异性，Sn的晶体结构及性能参数如图4-11所示。常温下Sn的晶格常数为：a=b=0.5832nm，c=0.3182nm，c/a=0.546。c轴与a(b)轴晶格常数的差异引起Sn晶体在c轴方向与a(b)轴方向上弹性性质的巨大差异（图一）,c轴方向（[001]）上的弹性模量是a轴方向（[100]）上的近三倍，热膨胀系数是a轴的近两倍。因此研究Sn基体中各晶粒的取向分布特征显得尤为重要。 1.2无铅焊点的Sn的轮式双晶结构 在Influence of Sn Grain Size and Orientation on the Thermomechanical Response and Reliability of Pb-free Solder Joints Thomas R. Bieler的文章中，对SAC305做了实验，文章中对倒装芯片的进行OIM观察，如图所示 左边是偏光显微镜照片，右图为EBSD照片，图为极图，他们的在图中的EBSD的颜色代表了其在空间中相对与平行时的颜色。通过下面的2个极图的点的分布可以得出，其中3个晶粒分别在C轴的间隔均为60°。 因此通过大量的实验结果，在经过长时间的老化或慢速冷却，在统计学上得出，大部分Sn晶粒的间隔为60°得出SAC钎料在再流焊中会形成轮式双晶结构，C轴的空间角度为60°。在有些比较特殊的情况，如中，3个晶粒形成轮式双晶结构，空间夹角为60°。EBSD照片像一个沙滩球一样。 1.3小结 由于BGA,FC等技术的发展，焊点的密度快速增高，焊点的体积逐渐变小，在一个焊点范围内往往只包含有限个晶粒。而Sn晶粒由于其晶体结构的特性，具有明显的各向异性，在不同方向上表现出相差较大的特性。而在两个相邻的晶粒中，其C轴夹角约为60°，形成轮式双晶结构。因此研究无铅焊点的晶粒数目及取向对其焊点的可靠性具有十分重要的意义。 在热循环作用下无铅焊点晶粒数目及取向对可靠性的影响 2.1热循环作用下无铅焊点晶粒取向对可靠性的影响 对SAC钎料球进行热循环处理，经过一段时间后，在某些钎料球出现了微裂纹断裂。并对从焊点进行偏光显微镜分析及EBSD，从图中可以看出，发现大部分焊点均由1-3个晶粒组成，晶粒较少，其中晶粒取向分布，没有明显规律。发现在单晶组成的焊点中，如果焊点的晶体取向C轴处于平行与基板方向，那么晶粒容易发生断裂。在ESBD图中，如果取向平行基板，那么颜色为红色或橙色，如果取向垂直与基