mos场效应晶体管基础2.pptxVIP

1、 双端MOS结构及其场效应a. MOS结构b. 电场效应MO- V +S2、 半导体的耗尽及反型空穴堆积空穴耗尽电子堆积_ _ _ _ _ _ _+ + + + + + ++ + + + + + +- V ++ V -+ V -_ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _+ + + + + + +p型p型p型a. p增强型b. p耗尽型c. p反型电子堆积表面势?s-V+V++V空穴堆积2、 半导体耗尽及反型电子堆积电子耗尽空穴堆积_ _ _ _ _ _ __ _ _ _ _ _ _+ + + + + + +- V ++ V -+ V -_ _ _ _ _ _ _+ + + + + + ++ + + + + + +n型n型n型a. n增强型b. n耗尽型c. n反型电子堆积表面势?s+V-V--V空穴堆积2、 耗尽区宽度耗尽表面导电性降低，外加电场进一步深入，空间电荷区增大。反型表面导电性增加，屏蔽外加电场，空间电荷区不能再增大。3、 平衡能带结构真空能级真空能级电子亲合能金属功函数金属 氧化物p型半导体金属 氧化物p型半导体能带平衡关系：总的能带弯曲等于金属半导体功函数差：3、 栅压- VG +金属 氧化物 半导体4、 平带电压金属 氧化物 半导体金属 氧化物 半导体5、 阈值电压金属 氧化物p型半导体金属 氧化物p型半导体5、 阈值电压5、 阈值电压6、 电荷分布强反型堆积注：堆积和强反型载流子增长很快。平带弱反型耗尽7、 MOS电容模型8、理想 C-V特性低频强反型堆积中反型耗尽高频8、理想 C-V特性低频强反型堆积中反型耗尽高频9、非理想效应低频堆积反型高频9、非理想效应b. 界面态效应a. 固定栅氧化层电荷平带禁带中央阈值3.2 MOS场效应晶体管1、MOSFET的结构及工作原理2、电流-电压关系（定性分析）3、电流-电压关系（定量分析）4、MOSFET的等效电路5、MOSFET的频率限制特性1、MOSFET的结构及工作原理源(S)栅(G)漏(D)源(S)栅(G)漏(D)DDBBpGpn沟GSS体(B)体(B)（1）N沟增强型（2）N沟耗尽型1、MOSFET的结构及工作原理源(S)栅(G)漏(D)源(S)栅(G)漏(D)DDBBnGnp沟GSS体(B)体(B)（3）P沟增强型（4）P沟耗尽型1、MOSFET的结构及工作原理GGSSDDpp空间电荷区电子反型层(b) 栅压高于阈值电压：沟道中产生反型层电荷(a) 栅压低于阈值电压：沟道中无反型层电荷2、电流-电压关系（定性）（小的漏源电压作用）GSDp电子反型层2、电流-电压关系（定性）反型层氧化层耗尽区反型层反型层PPP饱和偏离线性线性区p3、电流-电压关系（定量）GDS电子反型层3、电流-电压关系（定量）（a）电荷关系（b）高斯关系金属氧化层P型半导体3、电流-电压关系（定量）（c）电势关系（d）能量关系金属 氧化物 半导体3、电流-电压关系（定量）电流公式电荷关系电压关系阈值电压电流-电压关系：3、电流-电压关系（定量）电流-电压关系：（VGSVT，VDSVDS(sat)）饱和:（电流达到最大）饱和电流-电压关系：3、电流-电压关系（定量）P沟道增强型MOSFET：GDSP沟道耗尽型MOSFET：n电流-电压关系：饱和:饱和电流-电压关系：3、电流-电压关系（定量）电流-电压关系的应用（1）——确定阈值电压和迁移率（1）低漏源电压近似：（VDS?0）（2）饱和电流-电压关系：（VDS= VDS(sat) ）3、电流-电压关系（定量）电流-电压关系的应用（2）——MOSFET的跨导MOSFET跨导的定义:非饱和区跨导:线性很好！饱和区跨导:3、电流-电压关系（定量）衬底偏置效应GSDp4、小信号等效电路4、小信号等效电路栅极：漏极：5、频率限制因素与截止频率输入电流：电压增益：输出电流：电流增益：截止频率：6、CMOS技术（1）CMOS电路（2）器件结构+V输出输入-V+V输入输出P阱N型衬底-V优点：互补，一开一关；电流小，功耗低；充放电回路短，速度快；线性好，温漂小。*问题：闩锁效应