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`0001 01A1
在纯净的半导体中掺入 5 价元素杂质,形成( )型半导体,在此种半导体中多数载流子是( )。
`0002 01A1
在纯净的半导体中掺入 3 价元素杂质,形成( )型半导体,在此种半导体中多数载流子是( )。
`0003 01A1
PN 结的导电特性是 。
`0004 01A2
为了使晶体管能有效地起放大作用,其管芯结构总是使: ( 1)发射区掺杂浓度 ;(2)集电结面积比发射结面积 。
`0005 02A1
夹断电压是( )型场效应管的参数,开启电压是( )型场效应管的参数。
`0006 02A1
场效应管有( )种载流子导电,场效应管是( )控制( )型器件。
`0007 02A1
共射放大电路中输出电压与输入电压相位 。
`0008 02A1
在放大电路中,晶体管通常工作在 工作区。
`0009 02A1
双极性晶体管工作在放大区的条件:发射结 ,集电结 。
`0010 02A1
场效应管三个电极分别为 极、 极和 极。
`0011 02A1
在单管共集放大电路中,输出电压与输入电压的极性 。
`0012 02A2
在单管共基放大电路中,输出电压与输入电压的极性 。
`0013 02A2
场效应管放大电路有共 、共 和共 三种基本形式 。
`0014 02A2
场效应管从结构上可以分为( )和( )型两大类型
`0015 02A2
单管共射极放大器,当工作点 Q 选择较高时,易出现 失真。
`0016 02A2
在电子线路中,一般用输出电阻 RO 来衡量放大器带负载的能力, RO 越小,则带负载的能力 。
`0017 02A2
双极性晶体管工作在饱和区的条件:发射结 ,集电结 。
`0018 02A2
双极性晶体管工作在截止区的条件:发射结 ,集电结 。
`0019 02A3
单管共射极放大器,当工作点 Q 选择较低时,易出现 失真。
`0020 02A3
某放大电路在负载开路时的输出电压为
6
V
,当接入 2
K
Ω负载电阻后, 输出电压降为 4
V ,
。
这表明该放大电路的输出电阻为
`0021 02A3
如果信号源接近于理想电压源, 通常希望放大电路的输入电阻 ;如果信号源接近于理想电流源, 通常希望放大电路的输入电阻 。
`0022 03A1
设计一个输出功率为 20W 的推挽放大器,若用乙类 OCL 电路,则应选功放管的最大允许管耗 Pcm 必须大于( )W 。
`0023 03A1
多级放大电路中常见的耦合方式有: , , , 。
`0024 03A1
对差动放大电路来说,有用的或要放大的信号是 信号;无用的或需要抑制的信号是 信号。
`0025 03A1
大小相等、极性相反的信号称为 信号;大小相等、极性相同的信号称为 信号
`0026 03A2
乙类推挽功率放大器的( )较高,但这种电路会产生( )失真。为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在( )类状态。
`0027 03A2
P 大于(
),V
大于(
), I
大于(
)三个条件。
在设计 OTL 功率放大器时,选择功率放大管时要特别注意
CM
CM
(BR ) CEO
`0028 03A2
在乙类互补对称功率放大器中,因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做 。
`0029 03A2
多级直流放大电路最主要的问题是 问题,解决的办法是采用 电路。
`0030 03A2
甲类放大电路功放管导通角等于 ;乙类放大电路功放管导通角等于 ;甲乙类放大电路功放管导通角为 。
`0031 03A3
正常时 OCL 功率放大器的中点电压应为( ),OTL 功率放大器的中点电压应为( )。
`0032 03A3
在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中,功放管导通角最小的是 类放大电路
`0033 03A3
电流源作为放大电路的有源负载,主要是为了提高 ,因为电流源的 很大。
`0034 04A1
- 1 -
理想运算放大器的开环电压增益为 ,输出电阻为 。
`0035 04A1
理想集成运放的主要性能指标:
Aod= , rid = ; r od= 。
`0036 04A1
集成运算放大器的两个输入端:同相输入端和反相输入端。前者的极性与输出端 ,后者的极性同输出端 。
`0037 04A2
差动放大器 KCMR 越大,表明其对 信号的抑制能力越强。
`0038 04A2
为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配,以使输出功率尽可能加大,放大电路应采用 耦合方式。
`0039 04A3
直接耦合多级放大器既能放大 信号,也能放大 信号。
`0040 05A1
深度负反馈的条件是 。
`0041 05A2
为了稳定静态工作点,应该引入 负反馈。
`0042 05A2
某负反馈放大电路的开环电压放大倍数
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