半导体工艺第十章.doc

本章习题 10-1 传统的平坦化技术有哪些？ 答：传统的平坦化技术主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等。 10-2 什么是化学机械平坦化？有什么优缺点？ 答：CMP是在具有化学活性的研磨液、运动的抛光垫和施加研磨压力并旋转的抛光头的作用下研磨硅片的表面的薄膜达到平坦化的技术。优点：1）能获得全局平坦化；2）对于各种各样的硅片都能平坦化；3）可对多层材料进行平坦化；4）减小严重的表面起伏；5）解决了铜刻线难以刻蚀良好图形的问题；6）可以去掉表面缺陷；7）不使用危险气体；8）可以实现现代化；缺点：1）影响平坦化质量的工艺多且不易控制；2）CMP进行平坦化的同时也会引入新的缺陷；3）需要配套的设备、材料、工艺控制技术，这是一个需要开发、提高的系统工程；4）设备、技术、耗材、维护昂贵。 10-3 简述CMP机理。 答：CMP原理是将硅片固定在抛光头的最下面，将抛光垫放置在研磨盘上，抛光时，旋转的抛光头以一定的压力压在旋转的抛光垫上，由亚微米或纳米磨粒和化学溶液组成的研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。研磨液中的化学成分与硅片表面材料产生化学反应，将不溶的物质转化为易溶物质。 10-4 CMP主要参数有哪些？CMP平整度和均匀性是如何定义的？ 答：CMP的主要参数有平均磨除率、CMP平整度与均匀性、选择比、表面缺陷。CMP平整度是硅片某处CMP前后台阶高度之差占CMP之前台阶高度的百分比。 10-5 CMP设备由哪几部分组成？ 答：研磨部分和清洗部分。 10-6 抛光垫由什么材料制成？关系到抛光质量的抛光垫因素有哪些？为什么 抛光垫要进行修整和定期更换？ 答：抛光垫大多使用发泡式的多孔聚亚安酯材料组成。抛光垫的材质、表面粗糙度、表面组织结构、密度、厚度、硬度、孔隙率、微孔深度及直径、表面形貌处理、背垫弹性等。抛光垫市一中消耗品，在使用中因为研磨液粉及薄膜碎片的沉积，使抛光垫表面微孔发生堵塞，使其容纳研磨液和排出废屑的能力降低，导致材料去除率随时间下降，研磨效率差。 10-7 说明研磨液的组成。其中化学添加物的功能和作用是什么？WCMP用什么 研磨液？ 答：研磨液由磨粒、酸碱剂、纯水、添加物组成。化学添加物的作用是加强氧化性、活性、稳定性、选择性。用金属钨研磨液。 10-8 研磨液供给与输送系统实现的目标是什么? 答：通过恰当设计和管理研磨液供给与输送系统来保证CMP工艺的一致性。 10-9 在研磨液供给与输送系统中为什么要对研磨液进行加湿？ 答：桶、储蓄罐、压力管中的研磨液的表面，如果液面以上的气体中水蒸气没有达到饱和，研磨液表面水分就hi产生蒸发使研磨液表面会变干产生大的颗粒，同时液位下降，这些大颗粒一旦进入输送系统就会损坏晶面，对气体进行加湿可以解决这个问题。 10-10 终点检测的意义？终点检测设备有哪些？各有什么优缺点？ 答：终点检测可以控制膜厚正确的去除量，减少再加工的需要。主要设备是电动机电流终点检测和光学干涉法终点检测。电动机电流终点检测：对大块图形比较有效，适用于摩擦系数变化大的金属膜抛光和多晶硅抛光过程，不适用于磨出薄膜后还要留下一定厚度薄层为终点的氧化硅抛光；光学干涉法终点检测：厚度测量十分精确，但不适用于希望对硅片中不同区域进行终点检测，也不适用于金属物理气象淀积的大马士革工艺。 10-11 常用的清洗设备有哪些？ 答：毛刷清洗、酸性喷淋清洗、兆声清洗及旋转清洗。 10-12 简述CMP工艺流程。 答：前期准备→研磨抛光→清洗→甩干→质量检测与评估。 10-13 简述CMP效果的主要参数。 答： 设备参数 研磨液参数 抛光垫/背垫参数 CMP对象薄膜参数 抛光时间 磨粒大小 硬度 种类 研磨盘转速 磨粒含量 密度 厚度 抛光头转速 磨粒的凝聚度 空隙大小 硬度 抛光头摇摆度 酸碱值 弹性 化学性质 背压 氧化剂含量 背垫弹性 图案密度 下压力 流量 修整 粘滞系数 10-14 ILD和STI的氧化硅CMP后如何清洗？对铜进行CMP后清洗液的要求是什么？ 答：主要用氨水和稀释的氢氟酸，双面毛刷情节硅片，氢氟酸帮助化学溶解颗粒，而氨水降低吸附颗粒的静电电位。 10-15 如何控制抛光均匀性？ 答：首先保证硅片上受到的研磨压力均匀，小的压力可以改善均匀性和平整性，硅片大的均匀性更好。 10-16 简述STI工艺流程。STI CMP的目标是什么？传统研磨液是什么？新型的CeO2作为磨砺的研磨液有什么特性？ 答：薄膜制作、STI浅沟槽刻蚀、二氧化硅沉积，最后用CMP技术进行表面平坦化。目标是磨掉比氮化硅层高的所有氧化层。以往是硅胶或发烟硅