半导体工艺第四章.docxVIP

4-1 二氧化硅膜有哪些物理性质？ 答：衡量二氧化硅膜物理性质主要有下面几个指标：电阻率、介电强相对介电常数、密度、折射率等参数。 （1）密度 密度是表示二氧化硅致密程度的标志。密度大，致密程度就高。用不同制备方法所制得的膜层，其密度一般是不同的，但都很接近，无定形二氧化硅的密度一般为2.20g/cm3。 （2）折射率 折射率是表示二氧化硅光学特性的参数。用不同方法所得的膜层，其折射率也是不相同的，但差距也不大。一般，密度大的二氧化硅具有较大的折射率，波长为5500?左右时，二氧化硅折射率约为1.46。 （3）电阻率 电阻率是表示二氧化硅电学性能的重要参数。用不同方法所制得的膜层的电阻率相差较大。用热生长方法制得薄膜，其电阻率为1015~1016Ω·cm，这表明二氧化硅是一种良好的绝缘材料；用热分解淀积法制得的薄膜，其电阻率为107~108Ω·cm，这表明二氧化硅层中含有较多的杂质。 （3）介电强度 介电强度是衡量材料耐压能力大小的，单位为V/cm。它表示单位厚度的二氧化硅层所能承受的最大击穿电压，其大小与自身的致密程度、均匀性、杂质含量及制备方法等因素有关。热生长二氧化硅膜介电强度一般为106~107V/cm。 （4）介电常数 介电常数是表示二氧化硅膜电容性能的一个重要参数。介电常数对于电容介质材料及MOS器件来说，是非常重要的。热生长法制得的二氧化硅膜的介电常数一般为3.2~3.8。 4-2阐述二氧化硅膜在集成电路工艺中的作用。 答： （1）掩蔽作用 利用二氧化硅对某些杂质的掩蔽作用，可结合光刻工艺，就可以进行选择性的掺杂，制造出半导体器件和集成电路。 （2）保护和钝化作用 在硅表面生长一层二氧化硅膜，可以保护硅表面和P-N结的边缘不受外界影响，从而提高器件的稳定性和可靠性。同时，在制造过程中，防止器件表面或P-N结受到机械损伤和杂质沾污。 （3）隔离作用 介质隔离是集成电路中常用的一种隔离方式。介质隔离中的介质就是二氧化硅。因为二氧化硅介质隔离的漏电流很小，岛与岛之间的隔离电压较大，寄生电容较小。因此，在集成电路中，通常采用二氧化硅来作为隔离介质。 （4）在某些器件中的作用 （a）MOS器件中的栅极材料 （b）电容器的介质材料 （5）电极引线和器件之间的绝缘 集成电路中的电容器大都是用二氧化硅来做的，因为二氧化硅的介电常数为3~4，击穿电压较高，电容温度系数小，这些优越的性能决定了二氧化硅是一种优质的电容器介质材料。 4-3阐述干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化的氧化过程及特点。 答： （1）干氧氧化 干氧氧化的生长机理是：在高温下，当氧气与硅片接触时，氧分子与其表面的硅原子反应，生成二氧化硅起始层，其反应为： Si+O2 = SiO2 其特点是氧化速度慢，但氧化层饥质量结构致密。 （2）湿氧氧化 湿氧氧化的机理是：让氧气通入反应室之前，先通过加热（加热到95的℃）高纯去离子水，使氧气中携带一定的水汽。所以水汽氧化兼有干氧和水汽两种氧化作用，氧化速度和质量介于而者之间。 （3）水汽氧化 水汽氧化的生长机理是：在高温下，水汽与硅片表面的硅原子作用，生成二氧化硅起始层，其反应式如下： Si+2H2O = SiO2 +2H2O 其后续氧化一般认为是水分子首先与表面的二氧化硅反应生成硅烷醇（Si-OH）结构。生成的硅烷醇再扩散穿透氧化层抵达SiO2- Si界面处，与硅原子反应生成SiO2。 其特点是氧化速度快，但氧化层结构较为疏松。 4-4影响二氧化硅氧化速度的因素有哪些？ 答： 1.氧化温度的影响 从上面的分析可知，影响氧化速度的因素主要是质量转移速度和化学反应速度，而决定质量转移快慢和化学反应快慢，分别是扩散系数Dox和化学反应速度常数ks。而Dox 和ks则都分别与绝对温度的倒数呈负指数关系。由此可见，随着温度的升高，扩散系数和反应速度常数均增大，因此，氧化速度也增加。 2.氧化剂分压的影响 考虑压力后，试验表明，氢氧燃烧的水汽氧化，在一定的高压极限（2MPa）范围内，氧化速度常数的确是与氧化剂分压成正比。而干氧氧化，氧化速度常数和压力的低次幂（即pGo0.75）成正比。据此，出现高压或低压氧化技术。 3. 氧化气氛的影响 氧化速度与氧化气氛有明显的关系。氧化速度常数中涉及到氧化剂在膜层中的溶解度，由于水汽在氧化层中的溶解度比氧气大得多，所以，在一定的温度下，水汽氧化比干氧氧化快。氧气中加入水汽可使氧化速度增加。 4. 衬底表面势的影响 衬底表面势的影响主要发生在氧化处于表面反应控制过程中，这是因为化学反应速度常数ks与衬底表面势又关。而衬底表面势除了与衬底取向、掺杂浓度有关外，还与氧化前的表面处理等因素有关。 4-5掺氯氧化中氯元素有何作用？ 答： 掺氯氧化的主要作用是减少钠离