利用有限元素與田口方法探討fccsp構裝無鉛錫球之佳化疲勞壽命.pptxVIP

報 告 流 程緒論理論基礎模型建立與評估錫球疲勞壽命以Surface Evolver預測錫球形狀田口氏品質工程方法結論未來研究方向前 言晶粒尺寸封裝(Chip Scale Package，CSP) ，泛指以各種方式封裝後的IC，若封裝體邊長比內含的晶片邊長，大20%以內，或封裝體的面積內含晶片面積的1.5倍以內，都可稱之為CSP封裝。由於覆晶封裝具有良好電氣特性、高I/O接點密度，且能縮小IC尺寸增加每片晶圓產出，為未來極具潛力之構裝方式。錫球在覆晶晶粒尺寸封裝(FCCSP)構裝中之功能主要包含有傳電、導熱及吸收上下元件之膨脹差等，因此錫球的可靠度佔有極為重要之影響。錫球在室溫下已超過其熔點的一半，易有潛變現象。研究動機與目的 過去的封裝型態，多半以打線作為內部接合，但打線製程花費時間相當長，成為接合技術的最大瓶頸。許多高階、可攜式電子產品，需要使用高腳數、散熱性較佳，或較為輕薄短小的封裝，則需使用覆晶技術。本文採用氧化鋁陶瓷基板，由於緻密性高，對水分子滲透有優良的阻絕能力、強度良好、散熱性佳、與耐高壓性等優點， 故被廣泛應用在需求高可靠度的IC構裝中。半導體產業唯有靠不斷地創新及研發，才能在激烈的競爭環境中繼續保有領先之地位，期望透過本研究能對業界有所幫助。 研 究 之 方 法 本文以96.5Sn3.5Ag無鉛錫球與氧化鋁陶瓷基板之FCCSP封裝模式，建構在FR-4電路板上。先利用Surface Evolver預測錫球迴焊後之形狀，再引入ANSYS 7.0有限元素分析軟體建立三維模型。採用葛拉佛拉-阿瑞尼阿斯潛變模式(Garofalo-Arrhenius Creep) ，透過3-D幾何模型的建立、網格分割及計算求解等步驟，進行分析模擬。 探討不同材質的封裝結構在-20℃~110℃溫度循環下，錫球之疲勞壽命、應力應變及遲滯曲線等機械行為之變化情形。 以等效潛變應變範圍代入Modified Coffin-Manson計算公式，預估錫球之疲勞壽命。覆晶封裝製程晶圓進入機台前需確認是否受污染。以電鍍或印刷植球進行銲錫(或金塊)凸塊製程。之後需經迴焊(Reflow)製程，使錫球成型。凸塊完成後進行晶粒切割。然後由吸嘴吸住晶粒背面沾上助焊膏(Flux Paste)，暫時將晶粒固定在基板上。置放完成後，進入迴焊爐內形成接合點。助焊膏的殘餘物須以清洗劑清除。此即所謂的C4 (Controlled Collapse Chip Connection) ，此一技術取代了傳統的打線接合。 可 控 塌 陷 晶 片 (F4) 連 接 技 術覆 晶 的 主 要 優 點可降低晶片與基板間的電子訊號傳輸距離，適用在高速元件的封裝。可縮小晶片封裝後的尺寸，使得晶片封裝前後大小差不多。本 文 討 論 之 變 形 理 論本文所採用之錫球為錫銀(96.5Sn3.5Ag)之材料。在高溫且恆溫狀態、穩態負載條件下具有潛變效應。同時承受反覆熱循環負載，使得材料進入塑性範疇。本文即討論潛變與塑性變形。文 獻 回 顧 1996年S.M. Heinrich等以63Sn37Pb共晶錫球為分析模型。假設熔融狀態之錫球表面為以一等曲率圓弧，推導出一顯函數解析解，可精確地預測錫球於迴焊過程後之形狀。2000年Mertol等以有限元素法，模擬晶圓級封裝在溫度循環下應力、應變與變形，並使用田口式方法，探討設計參數對錫球的疲勞壽命之影響。2001年Pang 以彈性、塑性、潛變之材料，探討覆晶構裝模型在溫度循環下，錫球之疲勞壽命。 材料在室溫環境下發生潛變1.初始(暫態)潛變。2.穩態潛變，潛變過程時間最長，最主要的部份。3.加速潛變。因此通常以穩態潛變方程式描述潛變行為。本文以ANSYS 7.0對96.5Sn3.5Ag無鉛錫球，以葛拉佛拉-阿瑞尼阿斯(Garofalo-Arrhenius)潛變模式進行分析。以探討構裝體在承受-20℃至110℃之熱循環負載時，所發生之錫球破壞行為。葛拉佛拉-阿瑞尼阿斯潛變模式註1C1 = 18(553-T)/T，單位:1/secC2 = 1/(43.99-0.079T)，單位:1/MPaC3 = 5.5C4 = 5802，單位:k註2註1：σ單位採用MPa；T 單位採用絕對溫度K。註2： C1 及C2 之參數值為溫度T 之函數，其值會隨溫度而變化，而此處T是以絕對溫度K為單位。 Tresca 與 von Mises 降伏準則目前常用的兩種延性材料之破壞準則為特雷斯卡準則(Tresca Yield Criterion)及米澤斯降伏準則(von Mises Yield Criterion) 。由於特雷斯卡準則太過於保守，故本文選用米澤斯降伏準則為依據。塑 性 行 為 模 式本文選用德國von Mises所提出降伏準則為依據。依照此準則，當材料中每