半导体工艺第八章.docxVIP

8-1超大规模集成电路对图形转换有哪些要求？ 答： （1）图形转换的保真度高 在刻蚀时，通常在纵向刻蚀时，也会有横向（侧向）刻蚀，但这种横向刻蚀在工艺中是不希望出现的。因此，在工艺中，就要严格控制这种侧向刻蚀，使之越小越好。 （2）选择比 刻蚀时，光刻胶和衬底在刻蚀过程中不参与反应，也就是说不会被刻蚀。但事实上，光刻胶与衬底，在整个刻蚀过程中，也会参与反应，也会被刻蚀掉部分。这种现象是不希望出现的。因此，在刻蚀过程中，要求光刻胶和衬底的刻蚀速率十分缓慢。 （3）均匀性 现在商业化生产的晶圆直径往往大于12英寸，而且刻蚀的是≤1mm （4）刻蚀的清洁 超大规模集成电路的图形非常精细，在刻蚀过程中，任何人为引入的污染，既影响到图形转移的精度，又增加刻蚀后清洗的复杂性。 8-2湿法刻蚀有哪些特点？ 答： （1）湿法刻蚀的反应物必须是气体或能溶于刻蚀剂的物质，否则会造成反应物沉淀，从而影响刻蚀正常进行。 （2）湿法刻蚀是各向异性的，刻蚀中腐蚀液不但浸入到纵向方向，而且也在侧向进行腐蚀。这样腐蚀后得到的图形结构像一个倒八字形，而不是理想的垂直墙。 （3）湿法刻蚀过程伴有放热和放气过程。放热造成刻蚀局部温度升高，引起化学反应速率增加，一旦温度剧烈增加，又反过来使刻蚀处于不受控制的恶性循环中，使得刻蚀效果变差。 8-3分别阐述SiO2和Si3N4膜的湿法刻蚀原理及刻蚀液配方。 答： （1）二氧化硅的湿法刻蚀 腐蚀液：氢氟酸和氟化氨的混合液 原理：溶液中的F-与二氧化硅中的Si4+络合成六氟硅酸根络离子（SiF6)-2，它与H+结合而生成可溶性的六氟硅酸。 反应原理： SiO2+6HF H2[SiF6]+2H2O （2）氮化硅的湿法刻蚀 氢氟酸对氮化硅的腐蚀速度比二氧化硅慢得多，而磷酸则容易腐蚀氮化硅。 所以常用热磷酸作为氮化硅的腐蚀剂。 化学反应原理： Si3N4+H3PO4 Si(H2PO4)4+NH3 8-4用湿法刻蚀二氧化硅时，为什么要添加NH4F？ 答：因为用氢氟酸腐蚀二氧化硅时，反应过程较为剧烈，会影响刻蚀的均匀性，因此可以添加NH4F溶液作为缓冲剂，因为NH4F在水中电离为F+会使得刻蚀过程向相反的方向进行，从而减小刻蚀速率，以提高刻蚀的均匀性。所以氟化氨起缓冲的作用。 8-5阐述干法刻蚀的原理。 答：干法刻蚀是以等离子体来进行薄膜刻蚀的一种技术。在干法刻蚀过程中，不涉及溶液的参与，所以称为干法刻蚀。 干法刻蚀可分为物理刻蚀和化学刻蚀。 物理刻蚀是利用辉光放电将气体（比如氩气）解离成带正电的离子，再利用偏压将带正电的离子加速，轰击在被刻蚀薄膜的表面，从而将被刻蚀物质的院子轰击出去。 化学刻蚀又叫做等离子刻蚀，它与物理刻蚀完全不同，它是利用等离子体，将反应气体解离，然后借助离子与薄膜之间的化学反应，把裸露在等离子体中的薄膜，反应生成挥发性的物质而被真空系统抽离。 8-6干法刻蚀有哪几种刻蚀方法？各有何特点？ 答：干法刻蚀有溅射刻蚀、化学刻蚀和反应离子刻蚀三种； 溅射刻蚀时一种纯物理轰击刻蚀，选择各向异性好，但选择性差； 化学刻蚀选择性好，但是是一种各向同性刻蚀； 而反应离子刻蚀结合了物理轰击和化学反应两者优点，选择性好，各向异性也较好。 8-7干法刻蚀有哪些优点？ 答：干法刻蚀最大的优点就是刻蚀时是一种各向异性刻蚀。 8-8阐述SiO2、Si3N4、多晶硅、金属铝膜的干法刻蚀原理、刻蚀气体及刻蚀过程。 答：（1）SiO2的刻蚀 从早期的干法刻蚀技术的应用到现在，大都采用含有氟碳化合物的等离子体来进行SiO2的干法刻蚀。所使用的气体，从早期的四氟化碳（CF4）到现在的CHF3，或是C2F6和C3F8，都可以作为提供碳原子及氟原子的反应气体。以CF4为例介绍SiO2的刻蚀 CF4 2F+CF2 SiO2+4F SiF2+2O Si+4F SiF4 SiO2+2CF2 SiF4+2CO 这些反应就把SiO2的Si原子和F原子生成具有挥发性的SiF4。 （2）Si3N4的刻蚀 基本上，用来刻蚀SiO2的干法刻蚀方法都可以用来刻蚀Si3N4膜，但是由于Si—N键的键结合强度介于Si—O键与Si—Si之间，因此，若采用CF4或是其他含氟的气体等离子体来进行Si3N4的刻蚀，其选择性比较差。以CHF3的等离子体为例，其对Si