低温固态物理第五章-磁电阻效应.pdfVIP

第五章 磁电阻效应 §5.1 引言 近几年，以磁电子或自旋电子作为关键词的文章频频 出现在国际顶尖的刊物上。基于磁电子材料研制的自旋 阀被认为是2002年度国际十大成果之一。基于多学科(凝 聚态物理、电子学、信息科学、材料科学和纳米科技)的 交叉，一门崭新的学科－磁电子学已初见端倪，并因在 磁传感器、磁记录及信息存储和处理等领域显示出广阔 的应用前景而备受关注。 电子电荷属性 传统电子学或半导体电子学，其基本 原理是：以电子的电荷作为输运载 体，借助电场操纵电荷以调制材料中 的导电行为 电子器件的小型化、电路芯片的大容量或存储信息的 高密度化推动传统电子学向微电子学发展 目前超大规模集成电路芯片的线宽～130纳米，估计 在今后15至20年内，线宽将减小至10纳米左右。 问题 Moore 芯片容量每三 第一定律 年增加4倍！ 微电子器件能否无 限地被小型化？ 成本 集成电路的加工 Moore 第二定律 费每三年增加2 经济上大到无法 倍的速率增大！ 承受的程度！ 工艺 在数十纳米量级PN 结无法形成，二极管、三极管 也就无法正常工作。 当源、漏极间沟道长度减小到数十纳米以后，场 强迅速增加，电子在强电场的作用下将使器件雪崩 击穿，因此场效应晶体管也将无法正常工作。 随着器件密度的提高，单位面积的发热将变得异 常巨大，据估计芯片每平方厘米每秒钟的发热量将 相当于发射一颗子弹 物理 器件尺寸的小型化，将逐渐步入所谓的受介观体 系物理支配的领域，呈现一系列量子相干效应， 从而导致某些经典物理定律的失效！ 电子自旋属性 1921年，斯特恩――盖拉赫实验揭示出电子具有自旋的内 禀属性 利用电子自旋（磁矩）可做成各类存储器 电荷 半导体 微电子器件 电子 铁磁性材料 现代信息技术 自旋 存储器 20世纪物理或器件的研制多数情况下是将 电荷和自旋这两个属性分开考虑 磁电子 20世纪物理或器件的研制 磁 场 多数情况下是将电荷和自 旋这两个属性分开考虑 电子输运(电荷) 磁有序(自旋) 随微电子器件小型化所带 来的严重问题，人们自然 会提出可否对电子