反射波和透射波.pptxVIP

无限大 平面 光滑有限大 曲面 粗糙入射面k第六章 均匀平面波的反射与折射前提： σ ε μ =常数，无源：ρ=0，有界：有反、折射显然第六章是第五章内容的延伸，区别仅在于有无界面6·1 折、反射波的基础知识一、几个重要概念只有反射和折射本章只讨论此种情况界面前沿学科探讨的问题绕射散射漫反射入射面：入射射线与分界面法线构成的平面。 特点：入射面⊥分界面z分界面xy介质2介质1入射角?ikEiE∥E⊥入射面入射方向设：i 表示入射；r表示反射；t 表示透(折)射；?i =0：垂直入射?i ≠0：斜入射入射角：入射射线与分界面法线夹角电磁波垂直入射时，电场和磁场总是平行分界面的。斜入射时，电场或磁场可能与分界面不平行。线极化圆极化椭圆极化平行极化：Ei 的方向与入射面平行入射方式垂直极化: Ei 的方向与入射面垂直反射系数透射系数频率：ωi=ωr=ωt(∵媒质线性)zkt分界面n?t2x1?i?rkikr矢量电场的一般表达式：波矢量注：本章假定入射空间为理想介质zkt分界面n?t斯耐尔反射定律：斯耐尔折射定律：2x证明：由边值条件, 而：则：1?i?rkikr二、反射定律和折射定律 电磁波入射到介质分解面上时，将发生反射和折(透)射现象。反射波和透射波的传播方向遵循反射定律和折射定律。∴xⅠ入即：yz反4、∴6·2 均匀平面波对分界面的垂直入射本节以入射波为z (ek=ez )方向的线极化波为例进行讨论一、Ⅱ为理想导体(即：E2=H2=0)①求解：1、选择如图所示坐标，且设et=ex(不失一般性)，则：en=ez2、理想介质Ⅰ内将存在入射波和反射波。3、∵垂直入射?i=0∴Ki=k1ez ; Kr =-k1ez 因此:Ki·r =k1z ; Kr·r =-k1z eEi=eEr=et=exⅠⅡ5、由边值条件：6、故：即：则：1+R=0 → R=-17、时域：8、∵则：9、时域：②传播特性： 对任意时刻t，在 处，其合成波电场皆为零 对任意时刻t，在 处，其合成波磁场皆为零 HyExExHyzzzz00001、合成波的性质：合成波为纯驻波仍为TEM波振幅随距离变化R=-1即有半波损失电场和磁场最大值和最小值位置错开?/4 即H的相位超前E π/2电场和磁场原地振荡， 电、磁能量相互转化， 而不进行能量传递。等相位∵是理想介质：∴2、导体表面的场和电流在理想导体表面的感应面电流为：3、合成波的平均能流密度这说明单位面积上没有有功率穿过，即不传递能量4、相速度VP= ？x即：入透yz反4、∴12二、Ⅱ为理想介质（?1＝?2＝0）① 求解：1、选择如图所示坐标，则：en=ez 且设et=ex(不失一般性)，2、写出理想介质Ⅰ内的入射波和反射波的一般表达式：∴Ki=k1ez ; Kr =-k1ez → Ki·r =k1z ; Kr·r =-k1z ∴ eEi=eEr=et=ex3、∵垂直入射?i=05、写出理想介质Ⅱ内?2的表达式：同理：则：7、∵即：则： ⑵＞0 当 η2＞η1＜0当η2＜η16、由边值条件：则：1+R=T ⑴8、由边值条件：9、联立解式⑴和⑵：10、空间Ⅰ内的解，当：R＞0时域：当：R＜0时域：11、空间Ⅱ内的解：复数域：时域：显然，这是一个理想介质中的行波。其传播特性在第5章中已详细讨论过，在此不再重复。② 合成波 (E1)的特性：仍为TEM波合成波为行、驻波，相当于一个行波叠加在一个驻波上， 电场的中心值不再是零，出现波节，但波节点场值不为零。电磁场非原地振荡，电磁能量相互转化同时还进行能量传递。入射功率Pi = 反射功率Pr + 透射功率Pt由能量守恒故：波腹点上电场的相对振幅（Emax）波节点上电场的相对振幅（Emin）SWR= —————————————— 行驻波：＜1， 1＜SWR＜∞行波比：= 1/SWR驻波比（SWR）：纯行波即无反射：R=0， SWR=1纯驻波即全反射：R=1， SWR=∞反射系数和透射系数关系为：替换量理想介质有耗媒质三、Ⅱ为有耗媒质（?1＝0 ，?2≠0）① 求解：采用替换法即无耗和有耗之间通过替换量互得表达式1、选择与理想介质时相同的坐标，即：en=ez ；et=ex，无耗有耗2、写出替换量3、互换1、Ⅱ为介质：( )② 对低损耗媒质进行分析=常数将此与Ⅱ为理想介质时的场解相比，可见这之间的差别仅在于：在Ⅱ为介质的空间内有一随传播距离而缓慢衰减的量其它特性都一样② 对低损耗媒质进行分析2、Ⅱ为良导体：( )⑴ 场解将此与Ⅱ为理想导体时的场解相比，可见Ⅰ中的情况完全相同而Ⅱ中不仅有一随传