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什么是半导体制造中的玷污？
玷污是指半导体制造过程中引入半导体硅片的任何危害微芯片成品率及电学性能的不希望有的物质。
说明净化间的主要玷污。
颗粒
金属杂质
有机物玷污
自然氧化层
静电释放（ESD）
什么是有机玷污？
有机物玷污是指那些包含碳的物质,几乎总是同碳自身及氢结合在一起,有时也和其他元素结合在一起。有机物玷污的一些来源包括细菌、润滑剂、蒸汽、清洁剂、溶剂和潮气。现在用于硅片加工的设备用不需要润滑剂的组件来设计，例如，无油润滑泵和轴承等。
什么是自然氧化层？自然氧化层会引起哪些问题？
如果暴露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中，硅片的表面将被氧化，这一薄氧化层称为自然氧化层。
自然氧化层将妨碍其他工艺步骤，如硅片上单晶薄膜的生长和超薄氧化层的生长。自然氧化层也包含了某些杂质，他们可以向硅中转移并形成电学缺陷。
自然氧化层引起的另一个问题在于金属导体的接触区。接触使得互连线和半导体器件的源区及漏区保持电学连接，如果有自然氧化层存在，将增加接触电阻，减少甚者可能阻止电流流过。
解释静电释放。
静电释放(ESD)也是一种形式的玷污,因为它是静电荷从一个物体向另一物体未经控制地转移,可能损坏微芯片。
ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦，带过剩余电荷的原子被向相邻的带正电荷的原子吸引了。
解释空气质量净化级别。
净化级标定了净化间的空气质量级别，它是由净化室空气中的颗粒尺寸和密度表征的。这一数字描绘了要如何控制颗粒以减少颗粒玷污。净化级别起源于美国联邦标准209，209E。
净化间级别仅用颗粒来说明，例如1级净化间，则只接受1个0.5μm的颗粒。这意味着每立方英尺中尺寸等于或大于0.5 μm的颗粒最多允许1个。对于尺寸不同于0.5 μm的颗粒，净化间级别应该表达为具体颗粒尺寸的净化级别。例如：10级0.2 μm和10级0.1 μm。
硅片清洗的主要工艺是什么工艺？
化学湿法清洗
什么是RCA清洗工艺？
是由美国无线电公司（RCA）的W．Kern和D．Puotinen于1970年提出的，主要由过氧化氢和碱组成的1号标准清洗液（SC-1）以及由过氧化氢和酸组成的2号标准清洗液（SC-2）进行一系列有序的清洗。
用于SC-1中的化学配比是什么？SC-1去除什么玷污？
NH4OH/H2O2/H2O。去除颗粒和有机物。
SC-1湿法清洗是如何去除硅片表面颗粒的？
SC-1清洗液是碱性溶液，主要通过氧化颗粒或电学排斥作用。H2O2是强氧化剂，能氧化硅片表面和颗粒。颗粒上的氧化层能提供消散机制，分裂并溶解颗粒，能破化颗粒和硅片表面之间的附着力。SC-1的颗粒去除机制实际上是以颗粒的电学排斥来实现的。
用于SC-2中的化学配比是什么？SC-2去除什么玷污？
HCl/H2O2/H2O。去除金属杂质。
常用的清洗设备是什么？
超声波清洗设备
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