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- 2020-02-06 发布于上海
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第三章 主要内容
§3.1光探测器的物理基础
§3.2光探测器的特性参数
§3.3光电发射器件
§3.4光电导器件
§3.5光伏特器件
§3.6各种光电探测器件的性能比较和应用选择
;;;2、光电探测器也可分为:
单元器件;
阵列器件;
成像器件。
单元器件只是把投射在其光接受面元上的平均光能量变成电信号;
阵列器件或成像器件则可测出物面上的光强分布。
成像器件一般放在光学系统的像面上,能获得物面上的图像信号。
光电检测器件还可从用途上分为用于检测微弱??号的存在及其强弱的探测器,这时主要考虑的是器件探测微弱信号的能力,要求器件输出灵敏度高,噪声低;用于控制系统中作光电转换器,主要考虑的是光电转换的效能。
;;;1、 光电子发射效应
;;;;;图3-16 说明光电导用图
;;PN结伏安特性如图3-35所
示,经理论推导,在外加
偏压下,流过PN结的电流
方程为:
;②有光照射P-N结
;(2) 光照P-N结的电流电压特性
①零偏置:光伏特工作模式
②反向偏置:光电导工作模式
;①零偏置:光伏特工作模式;②反向偏置:光电导工作模式;图3-36 光照下PN结及其伏安特性;;;;;;;4. 响应时间和频率响应
响应时间
通常用响应时间τ来衡量。
当阶跃光输入时,光信
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