二极管和三极管分解.pptxVIP

电工技术与电子技术（下篇）中国矿业大学信电学院第9章 半导体二极管和三极管返回 对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。第9章 二极管和晶体管9.1半导体的导电特性9.2二极管9.3稳压二极管9.4晶体管 9.5光电器件第9章 二极管和晶体管本章要求：一、理解PN结的单向导电性，晶体管的电流分配和 电流放大作用；二、了解二极管、稳压管和晶体管的基本构造、工 作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；三、会分析含有二极管的电路。9.1 半导体的导电特性半导体的导电特性：热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增强。(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、 光敏二极管、光敏三极管等)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变。(可做成各种不同用途的半导体器件， 如二极管、三极管和晶闸管等）。 Si Si价电子 Si Si9.1.1 本征半导体 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。共价健晶体中原子的排列方式硅单晶中的共价健结构共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si自由电子本征半导体的导电机理 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。这一现象称为本征激发。空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。价电子 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： 1）自由电子作定向运动 ?电子电流 2）价电子递补空穴 ?空穴电流自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合 在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。注意： 1. 本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差； 2. 温度愈高， 载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 Si Si Si Sip+9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。在常温下即可变为自由电子掺入五价元素 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。多余电子 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。磷原子失去一个电子变为正离子 Si Si SiB– Si9.1.2 N型半导体和 P 型半导体掺入三价元素空穴 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。硼原子 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。接受一个电子变为负离子无论N型或P型半导体都是中性的，对外不显电性。－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++－－+++－－++－－++－－9.1.3 PN结及其单向导电性空间电荷区也称 PN 结 P 型半导体N 型半导体形成空间电荷区－+－－－－－+++++－+－－－－－++++++－－－－－－+++++NP–+9.1.3 PN结的单向导电性 P接正、N接负 1. PN 结加正向电压（正向偏置） 多子在外电场的作用之下通过PN结进入对方，形成较大的正向电流。IF PN 结加正向电压时，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。－－－++－－－+++－－－++－－－+++－－－++－－－+++–+2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正 + 少子在电场的作用之下，通过PN结进入对方，但少子数量很少，形成的反向电流很小。++PNIR PN 结加反向电压时，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。温度越高少子的数目越多，反向电流将随温度增加。9.2 半导体二极管9.2.1 基本结构(a) 点接触型(b)面接触型 结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。 结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。(c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。9.2半导体二极管PN阳极阴极二