单片机原理及应用第2章 MCS-51单片机的基本结构.ppt

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3.P2口的结构 图2-5 P2口的一位结构图 VCC P2.X 锁存器 读锁存器 地址 控制 D 读引脚 写锁存器 内部总线 Q Q MUX T P2.X 内部上拉电阻 CL P2口也是一个准双向口,有两种使用功能:作为普通I/O端口或作为系统扩展时的高8位地址总线。 P2口内部结构与PO口类似。 P2口作I/o端口使用时:内部控制信号使MUX开关接通到锁存器,此时P2口的用法与P1口相同。 P2口作外部地址总线使用时,内部控制信号使MUX开关接通到内部地址线,此时P2口的引脚状态由所输出的地址决定。 需要特别指出的是,由于对片外地址的操作是连续不断的,只要进行了外部系统扩展,此时P0口和P2口就不能再用作I/ O端口了。 4.P3口的结构 图2-6 P3口的一位结构图 VCC P3.X 锁存器 读锁存器 第二输出功能 D 读引脚 写锁存器 内部总线 Q Q T P3.X 内部上拉电阻 第二输入功能 CL P3.6 P3.7 表2-2 P3口的第二功能表 P3.6 P3.7 P3.2 P3.3 位线 引脚 第二功能 P3.0 10 RXD(串行输入口) P3.1 11 TXD(串行输出口) 12 INT0(外部中断0) 13 INT1(外部中断1) P3.4 14 T0(定时器0的计数输入) P3.5 15 T1(定时器1的计数输入) 16 WR(外部数据存储器写脉冲) 17 RD(外部数据存储器读脉冲) P3.7 P3.6 返回本节 使P3端品各线处于第二功能的条件是: 1\串行I/O处于运行状态(RXD,TXD); 2\打开了处部中断(INT0,INT1); 3\定时器/计数器处于外部计数状态(T0,T1) 4\执行读写外部RAM的指令(RD,WR) 在应用中,如不设定P3端口各位的第二功能(WR,RD信号的产生不用设置),则P3端口线自动处于第一功能状态,也就是静态I/O端口的工作状态。在更多的场合是根据应用的需要,把几条端口线设置为第二功能,而另外几条端口线处于第一功能运行状态。在这种情况下,不宜对P3端口作字节操作,需采用位操作的形式。 一、片内数据存储器 见下张幻灯片 2.2 存储器配置 特 殊 功 能 寄 存 器 SFR 通用 RAM区 00H 1FH 20H 2FH 30H 7FH 80H FFH 80H 88H 90H 98H A0H A8H B0H B8H D0H E0H F0H 特殊功能寄存器中位寻址 外 部 RAM (I/O口 地址) 0000H FFFFH 内部数据存储器 (a) 外部数据存储器 (b) FFFFH 外部 ROM 内部 ROM (EA=1) 外部 ROM (EA=0) 0000H 0000H 0FFFH 0FFFH 1000H 程序存储器 (c) 工作寄存器区 图2-9 MCS-51单片机存储器结构 位寻址区 128BRAM 当某一组被设定成工作寄存器组后,该组中的8个寄存器,从低地址到高地址就分别称为Ro-R7,从而可以把它们用作通用寄存器,并可按寄存器寻址方式被访问。一旦工作寄存器组被指定后,另外三组寄存器则同其它数据RAM一样,只能按字节地址被予以读写。 工作寄存器区 00H—1FH,供用户编程使用,临时存放8位信息。共四组,每组8个单元,即8个寄存器 位寻址区 20H—2FH,16个字节。或布尔处理区。该区每一位都被赋予一个地址,供128位。每个地址单元可进行字节操作之外,还可进行为操作。 表2-3 内部数据存储器中的位地址 数据缓冲区 30H—7FH,即用户区,供80个单元。用于存放运算数据和结果。实际上不使用的位寻址的字节和不使用的工作寄存器区都可以用作数据缓冲区使用。 堆栈区 用户可以指定内部RAM的最高若干字节做为堆栈区。在初始化程序中,可以对堆栈指针SP写入栈底的地址,于是从SP指定的栈底直到7FH单元都是堆栈区。例如MOV SP # 5FH.那么.从60H—7FH单元都是堆栈区。 堆栈是片内RAM中临时开辟的暂存区,堆栈主要是为子程序调用和中断操作而设立的。其具体功能有两种:保护现场和保护断点。计算机无论是执行子程序还是执行中断操作.最后都要返回主程序,因此计算机在转去执行这些程序之前,必须考虑其返回问题。这就要预先把主程序的断点保护起来,为程序的正确返回作准备。那么,把断点和现场内容保护在哪里?这就必须保护在堆栈内. 2.1.1 MCS-51单片机的基本组成 图2-1 MCS-51单片机基本结构示意图 时钟电路 SFR和RAM ROM CPU 定时/计数器 并行端口 中断系统 串行端口 系 统 总 线 时钟源 T0 T1 P0

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