《宽禁带半导体发光材料》33氮化物材料的发展1.pdf

氮化物材料的发展 InGaN材料的发展及应用 InGaN材料生长  InGaN材料基础  极性InGaN材料生长  非极性InGaN材料生长 InGaN基LED  高内量子效率结构设计  高光提取结构设计  电流分布结构设计  Droop效应  微纳结构LED InGaN基LED InGaN材料可用于制备近紫外、蓝、绿、黄光LED InGaN材料生长的困难 氮化物材料发展历史关键点 InGaN材料的发展  1989年，Nagamoto等人利用MOVPE首次制备出InGaN材料 ，高能 电子衍射显示已获得小颗粒单晶材料 ，XRD结果显示随着In组分的增 加，材料晶格常数增大；由于生长设备及技术限制 ，材料质量差 ，缺 陷发光明显，尚不能实现带边发射。 InGaN材料的发展  1991年，Nakamura采用双束流MOCVD制备出高质量的单晶InGaN 材料 ，获得了InGaN材料的带边发射 ，通过控制生长条件实现了薄膜 材料中In组分的控制并入及禁带带边发射。 低In组分 高In组分 InGaN材料PL光谱 波长与铟组分关系图 InGaN材料的发展  1994年，经过多年InGaN层的优化生长 ，第一颗InGaN双异质结高亮 度蓝光LED诞生(2.5 mW Output Power @ 450 nm) 。 InGaN/AlGaN Double Heterostructure LED Output Power vs. Current InGaN材料的发展  1995年，Nakamura制备出高铟组分的InGaN双异质结高亮度绿光 LED诞生(3 mW and 6.3% EQE) ；同年，实现高铟组分InGaN黄光 LED。 First InGaN/AlGaN Double 电致发光谱 Heterostructure green LED In组分 20% 43% 70% InGaN材料的发展  1996年，Nakamura制备出第一只InGaN多量子阱激光器 ，发射波长 为417nm的紫光。 Laser Structure using InGaN Light Output vs. Current InGaN基材料在LED中的应用 Solid State Lighting Decorative Lighting Automobile Lighting Displays Agriculture Indoor Lighting InGaN基材料在光伏中的应用  InGaN材料具有宽的能带范围 ，其尽 带宽度在0.7~3.4eV范围内可调 ，该 范围与太阳光谱 （0.4~4eV ）几乎完 美匹配 ，通过控制In组分可以调控出 合适的禁带宽度 ，制备出与太阳光谱 匹配的全光谱光伏电池；  InGaN材料具有良好的抗辐照性能；  InGaN材料具有高的光吸收系数；  InGaN材料制造过程中不涉及剧毒物 质，大大提高了制造过程的安全； 氮化物材料的发展 InGaN材料的发展及应用 InGaN材料生长  InGaN材料基础  极性InGaN材料生长  非极性InGa