半导体工艺（第9章1）热扩散.pptVIP

方块电阻表达式： RS= 式中： V 内探针的电位差，即电位差计的读数（mV）； I 通过外探针的电流（mA）； C 修正因子； 修正因子大小与被测样品的形状，大小有关，还与样品是单面扩散及双面扩散等因素有关。 案例一： 硼预淀积：取样品长度L=4mm，宽度a=2mm，厚度b=0.5mm，四探针间距s=0.8mm。 测试时电流固定为1mA，电位差计上测出电压为20mV，则该样品的方块电阻为： RS= =4× =80Ω/□ 结深（ xj ）的计算和测量 根据工艺条件进行计算； 直接测量; 计算法 根据扩散原理，杂质扩散系数越大，在一定时间内，杂质的结深也就越深； 扩散时间越长，扩散的结深也越深； 对于余误差函数分布（恒定源扩散），有 xj=2erfc-1 （Dt）1/2 对于高斯函数分布（有限表面源扩散）， xj=2( ) 1/2 （Dt）1/2 将上述两式统一起来，则有： xj=A （Dt）1/2 不管哪种函数分布，A都只与NB、 NS有关，实践中，只要把A与NB、 NS的关系画出来，在计算时，只要知道NB、 NS有关的值，就可以从曲线图中查出A的值。 案例二： 以基区扩散为例，计算其结深（设分布为高斯分布）。 温度：1180℃；时间：70min；扩散系数D=7×10-13cm2/s； 扩散后表面杂质浓度NS≈1018cm3； 衬底杂质浓度NB≈3×1015cm3； 则xj=5.2 （Dt）1/2 =2.8×10-4cm 扩散时通干N2的作用：保护气体。 N2中氧含量不能过大 原因 如果氧含量过大，硅片表面会被氧化，锑在硅中的扩散系数和固溶度本来就不高，如果再有氧化层阻挡，那么扩散系数就更小了，这样会造成方块电阻增高。 采用高纯N2也不好 原因 若没有氧气存在，硅与三氧化二锑的反应迅速进行，由于还原的锑原子过量，使石英管内锑蒸汽压过高，锑原子易在硅片表面或源表面堆积，使硅片表面产生合金点或使源变黑，并在石英管管口有黑色金属锑沉积出来。 工艺流程及规范 杂质源： Sb2O3： SiO2 = 1：4（高纯） 烧源：将配制好的杂质源均匀铺在石英舟内，推入扩散炉中脱水处理，烧源炉温为1200℃，N2流量为500ml/min，时间为20min，然后拉出，装上硅片进行处理。 扩散：炉温为1200℃；时间为2~2.5h， N2流量为500ml/min。 二、液态源扩散 概念： 杂质源为液态，保护性气体（如氮气）把杂质源蒸汽携带入石英管内，杂质在高温下分解，并与衬底表面的硅原子发生反应，然后以原子形式进入硅片内部，从而形成P-N结或完成掺杂。 液态源硼扩散 杂质源：硼酸三甲酯[B(OCH3)]、硼酸三丙酯[B(OC3H7)3]、三溴化硼（BBr3）等。 应用得最多的是硼酸三甲酯。 扩散原理： 硼酸三甲酯在较高温度下（500℃以上），能分解出三氧化二硼，而三氧化二硼在900 ℃左右又能与硅片中的硅原子起反应生成硼原子，并淀积在硅片表面。 2 B(OCH3) B2O3+CO2+H2O+??? 2B2O3+3Si 3SiO2+4B 扩散过程： 硼酸三甲酯 由保护性气体携带到扩散炉高温区 析出硼原子，并向硅中扩散 。 案例（以TTL基区硼扩散） 预淀积：炉温为950℃；时间为20min；大氮气（流量）为500ml/min；小氮气（携带杂质源流量）为50ml/min；源温为25 ℃。 再分布：炉温为1180 ℃；时间为30min（干氧）+30min（湿氧）+30min（干氧）；氧气（流量）100ml/min；水温为95 ℃。 扩散装置 液态源磷扩散 杂质源：磷扩散常用三氯氧磷（POCl3）作为杂质源，在室温下在氮气携带下（加入少量氧气），把杂质源通入石英管内。 三氯氧磷（POCl3）特点：无色透明液体，具有刺激性气味，有较强腐蚀性，常温下挥发性极强，蒸汽压较高，在潮湿空气中会冒白烟。 吸潮水解后，由无色变为黄色或棕黄色，其反应如下： 2POCl3 +3H2O P2O5+6HCl 此时，杂质源不能再使用，否则会影响表面浓度，因此要调换杂质源。 扩散原理： 三氯氧磷与氧气在石英管内发生如下反应： 4POCl3 +3O2 2P2O5+6Cl2 2P2O5+5Si 5SiO2+4P 氧气的作用：如果反应中只用氮气把杂质源携带进石英管内，那么， POCl3 的分