半导体工艺（第9章4）沟道效应.pptVIP

学习情境二 常州信息职业技术学院 学习情景二： 晶片掺杂 学习子情境2.3： 沟道效应 前面所讨论的只限于非晶靶和晶粒非常小的多晶靶情形,然而在微电子器件领域里,需要进行注入掺杂的主要是低指数取向的单晶材料。 ？单晶材料的离子注入与多晶材料有何区别呢？？ 单晶材料中的离子注入，主要是存在沟道效应 单晶材料的突出特点，是沿主晶轴方向原子结构呈管道状，俗称为沟道。沟道壁是由紧密排列着原子的原子列构成。 沟道效应 当离子沿主晶轴方向进入沟道时，离子处在沟道周围原子列各原子相互作用的平均势场中。 当离子在沟道轴附近时，与原子列上的原子相距较远，故核阻挡较弱，而以电子阻挡为主； 与非晶靶不同的是，其电子阻挡作用一直扩展到低能范围；并且由于平均势作用小，离子射程要比非晶靶大得多，这种现象称为“沟道效应”。 沟道离子：沿着沟道注入的离子称为沟道离子。 非沟道离子：注入离子与原子列上的原子相距较近，两者互作用势较强，离子将受到大角度散射而退出沟道，从而使得射程较近，这种离子称为非沟道离子。 准沟道离子：介于沟道离子和非沟道离子之间的离子。 单晶靶中离子浓度分布 单晶靶中离子浓度分布是上述三种离子共同作用的结果，其浓度分布如下图所示： 影响沟道效应的因素： （1）与离子注入方向和单晶靶取向有关（原子列上的原子排列得越疏松，越有利于保持沟道运动，所以沟道效应还与晶体取向有关）。 （2）与靶温有关。样品温度越高，晶格振动越激烈，其散射作用越强，沟道离子就越少。 （3）与注入剂量和剂量率有关 ，注入会破坏单晶材料晶格结构的有序性，即产生晶格损伤。输入剂量越大，无序化程度越严重，沟道效应就越弱，乃至消失。 剂量率，又叫注入速度，是指单位靶表面在单位时间内注入的离子数，注入速度越大，表明在短时间里有大量的高能离子入射到靶内，引起靶温增加，沟道效应势必减弱。 沟道注入使用的价值很少，常常要尽量避免它。减弱或避免沟道效应的措施主要有： （1）提高样品温度； （2）增大注入速度和大剂量注入； （3）使入射方向偏离沟道轴方向注入（一般偏斜30 ~70）； （4）通过在晶体表面淀积薄膜进行注入（对硅片表面进行保护，防止沾污；退沟道的无序层；调节注入离子的浓度峰值位置）； （5）注入前进行预注入； 预注入 在半导体衬底注入活性杂质之前，进行一次或多次预注入，如向硅中注入Si+或Ar +等惰性离子使之成为非晶相，这样就可以消除沟道效应，精确控制惨杂剖面，而且可以提高退火效果。 学习情境二 常州信息职业技术学院