半导体器件物理四.pptVIP

有效基区宽度扩展效应 [kirk（克而克）效应] 在大注入下，晶体管，特别是缓变基区晶体管的有效基区宽度将随注入电流的增加而扩展 。 用这个效应能够比较有效地解释大电流下晶体管的电流放大系数和截止频率下降的现象。 （原理分析略，参见P87~90） 发射极电流集边效应（基区电阻自偏压效应 ） 晶体管工作在大电流状态时，较大的基极电流流过基极电阻，将在基区中产生较大的横向压降，使发射结的正向偏置电压从边缘到中心逐渐减小，发射极电流密度则由中心到边缘逐渐增大，由此产生发射极电流集边效应。 由基区电阻的不均匀所导致 共发射极短路电流放大系数及其截止频率 共射短路电流放大系数β：工作在共射状态下的晶体管在输出端交流短路VCE0=0时，集电极交流电流ic与基极输入电流ib之比。 共发射极短路电流放大系数 共射交流放大系数β也是复数 幅值随着频率升高而下降 相位滞后随着频率升高而增大 （与α 类似） β截止频率 载流子从发射极到集电极总的传输延迟时间 P79 与 的关系 说明 共射短路电流放大系数β比共基短路电流 放大系数α下降更快。 因此，共基电路比共射电路频带更宽。 晶体管的特征频率 共射电流放大系数|β|下降到1时的频率是共射运用限制频率，即特征频率。 提高特征频率的途径 减小基区宽度 Wb ； 缩小结面积A ； 适当降低集电区电阻率 ； 适当减小集电区厚度 ； 尽量减小延伸电极面积 。 原因略，有兴趣的同学请自己看书。P84~85 习题 P97 2 补1 导致共基极电路交流电流放大系数是复数的原因是什么？ 补2 简述提高晶体管特征频率的方法。 4.2 晶体管高频等效电路 在交流小信号电流-电压方程基础上，讨论晶体管的Y参数、h参数、Z参数及其等效电路。 在交流小信号状态下，晶体管的输出信号随输入信号近似地按线性关系变化。因此，可以将晶体管等效为一个线性两端网络，如图所示。 这四个参量中只有两个是独立变量。选用不同的自变量和因变量，可以得到不同的参数方程。 I1、V1 输入端的电流和电压 I2、V2 输出端的电流和电压 当选取电压V1、V2为自变量时，可得Y参数方程 Y11 输出交流短路时的输入导纳 Y12 输入交流短路时的反向转移导纳 Y21 输出交流短路时的正向转移导纳 Y22 输入交流短路时的输出导纳 Y参数方程等效电路 当选I1和V2为自变量时，得到h参数方程 h11 输出交流短路时的输入阻抗 h12 输入交流开路时反向电压放大系数， 即电压反馈系数 h21 输出交流短路电流放大系数 h22 输入交流开路时的输出导纳 h参数等效电路 选取I1和I2为自变量，可得Z参数方程 Z11 输出交流开路时的输入电压 与输入电流的比值（输入阻抗） Z12 输入交流开路时的输入电压 与输出电流的比值（反向转移阻抗） Z21 输出交流开路时输出电压 与输入电流的比值（正向转移阻抗） Z22 输入交流开路时输出电压 与输出电流的比值（输出阻抗） 上述各参数都由晶体管自身的物理结构决定 可以相互转换 各有利弊 可以使用在不同的场合 运用较多的是Y参数和h参数等效电路 说 明 4.3 高频功率增益和最高振荡频率 功率增益表示晶体管对功率的放大能力。 本节从等效电路入手，用简化方法求出功率增益表达式，用h参数导出功率增益的一般表达式和最佳功率增益表示式。 功率增益 输出功率和输入功率的比值。 最佳功率增益 信号源所供给的最大功率与晶体管向负载输出的 最大功率之比，即是输入输出阻抗各自匹配时的功率增益。 GPm 共射h参数等效电路 共射晶体管的最佳功率增益表达式 实际晶体管中，集电极的输出阻抗除集电结势垒电容外，还存在延伸电极电容和管壳寄生电容等，用Cc表示集电极的总输出电容。 实际晶体管还存在引线电感等，考虑发射极引线电感的影响时，晶体管共射最佳功率增益表示为 Le 发射极引线电感 最佳功率增益GPm=1时的频率， 它是晶体管真正具有功率放大能力的频率限制。 最高振荡频率 最高振荡频率表达式 频带宽度 高频优值（增益-带宽乘积）表达式 高频优值全面地反映了晶体管的功率和频率性能，而且只与晶体管本身的参数有关，因此高频优值是设计和制造高频功率晶体管的重要依据之一。 提高功率增益的