半导体器件物理三.ppt

练习 简述晶体管的结构、基本形式和基区杂质分布的形式。 提高发射效率和基区输运系数的方法是什么？ 共发射极直流电流放大系数 因为IE=IB+IC 当β=20时，由上式可以算得α=0.95；β=200时，α=0.995。所以，一般晶体管的α很接近于1。 晶体管的放大作用 晶体管在共射极运用时，IC=βIB。由于β远大于1，输入端电流IB的微小变化，将引起输出端电流IC较大的变化，因此具有放大电流的能力。 在共基极运用时，IC=αIE。由于α接近于1，当输入端电流IE变化△IE时，引起输出端电流IC的变化量△IC小于等于△IE。所以起不到电流放大作用。但是可以进行电压和功率的放大。 晶体管具有放大能力，必须具有下面条件 （1）发射区杂质浓度比基区杂质浓度高得多， 即NE远大于NB，以保证发射效率γ≈1； （2）基区宽度WB远小于LnB， 保证基区输运系数β*≈1； （3）发射结必须正偏，使re很小； 集电结反偏，使rc很大，rc远大于re。 晶体管的特性曲线 晶体管的特性曲线形象地表示出晶体管各电极电流与电压间的关系，反映晶体管内部所发生的物理过程，以及晶体管各直流参数的优劣。 所以，在生产过程中常用特性曲线来判断晶体管的质量好坏。 晶体管的接法不同，其特性曲线也各不相同。 共基极输入特性曲线 输出电压VCB一定时，输入电流与输入电压的关系曲线，即IE～VBE关系曲线。 由于发射结正向偏置，所以，IE～VBE输入特性实际上就是正向P-N结的特性，因而IE随VBE指数增大。 但它与单独P-N结间存在差别，这是由于集电结反向偏置VCB影响的结果。若VCB增大，则集电结的势垒变宽，势垒区向基区扩展，这样就使有效基区宽度随VCB增加而减小（这种现象称为基区宽变效应）。由于WB减小，使少子在基区的浓度梯度增加，从而引起发射区向基区注入的电子电流InE增加，因而发射极电流IE就增大。 所以，输入特性曲线随VCB增大而左移。 共射极输入特性曲线 在输出电压VCE一定时，输入端电流IB与输入端电压VBE的关系曲线，即IB～VBE曲线。 综上所述可知，通过发射结有两股电流，即InE和IPe，所以， 发射极电流 IE=InE+IpE 通过集电结也有两股电流InC和ICB0， 集电结电流 IC=InC+ICB0 通过基极有三股电流，即IpE、IVR和ICB0，因而 基极电流 IB=IpE+IVR-ICB0 根据电流的连续性，应有 IE=IB+IC 由于发射结正偏，如将输出端短路，VCE=0时，就相当于将发射结与集电结两个正向P-N结并联。 所以，输入特性曲线与正向P-N结伏安特性相似。 当集电结处于反偏时，由于基区宽度减小，基区内载流子的复合损失减少，IB也就减少。所以，特性曲线随VCE的增加而右移。 而且，当VBE=0时，IpE和IVR都等于零，故IB=-ICBO。因而在VBE=0处，特性曲线下移至ICBO。 共基极输出特性曲线 输出端电流随输出电压变化的关系曲线，即IC～VCB关系曲线。 当IE =0，即发射结不发射载流子时，输出电流IC=ICBO，这时的输出特性就是集电结的反向特性，即图中最靠近水平坐标而且基本上平行于坐标轴的曲线。 当IE≠0时，随着IE的增加，IC按αIE的规律增大。若IE取不同的数值，就得到一组基本上互相平行的IC～VCB关系曲线，这就是共基极输出特性曲线。 共射极输出特性曲线 IC～VCE关系曲线 当IB=0（基极开路）时，IC=ICEO。这是因为共射极电路的输出电压为VCE，这个电压虽然主要降落在集电结上，使集电结反偏，但也有一小部分电压降落在发射结上，使发射结正偏。因此共射极电路中，当IB=0时，IE并不为零，这部分发射极电流输运到集电极上，使输出电流ICE0比ICB0大，这就是图中下面的第一条曲线。 当IB≠0时，随着IB的增加，IC就按βIB的规律增加。IB取不同的数值，IB～VCE关系就得到一组曲线。 3.２ 平面晶体管的电流放大系数及影响电流放大系数的因素 平面晶体管的自建电场 基区中某一处的自建电场的大小与该处的杂质浓度梯度成正比，与该处的杂质浓度成反比。 平面晶体管的电流密度 （略） 平面晶体管的发射效率