191半导体对光的吸收.pptVIP

1.5 半导体对光的吸收 1.5.1 物质对光吸收的一般规律 光波入射到物质表面上，用透射法测定光通量的衰减时，发现通过路程dx的光通量变化dΦ与入射的光通量Φ和路程dx的乘积成正比，即 1.5.2 半导体对光的吸收 显然，发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度Eg，才能使价带EV上的电子吸收足够的能量跃入到导带底能级EC之上，即 2.杂质吸收 这两种杂质半导体吸收足够能量的光子，产生电离的过程称为杂质吸收。 显然，杂质吸收的长波限 3. 激子吸收 4. 自由载流子吸收 5. 晶格吸收 1.6 光电效应 1.6.1 内光电效应 在热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。即 * * （1-63） 式中，α称为吸收系数。 如图1-8所示，利用初始条件x=0时 ，解这个微分方程，可以找到通过x路程的光通量为 （1-64） 可见，当光在物质中传播时，透过的能量衰减到原来能量的e-1时所透过的路程的倒数等于该物质的吸收系数α，即 （1-65） 另外，根据电动力学理论，平面电磁波在物质中传播时，其电矢量和磁矢量都按指数规律 exp(-ωμxc-1)衰减。 （1-66） 乘积的其实数部分应是辐射通量随传播路径x的变化关系。即 式中，μ称为消光系数。 由此可以得出 （