电子器件与电子电路基础复习课.pptxVIP

通 知 一、请同学们到校网10.11.11.110上的王小海目录下下载二个软件：1 . Pspice8—模拟电路仿真软件2 .ISPSYN —数字电路设计、仿真软件二、实验课从下周开始，希相互转告（包括本学期不选电子课的同学）半导体器件基础半导体材料本征半导体N型半导体掺入五价元素PN结P型半导体掺入三价元素半导体材料SiGe高度提纯后成为本征半导体本征半导体共价键结构和本征热激发电子—空穴对示意图N型半导体掺入五价元素P（磷）本征半导体P型半导体掺入三价元素B(硼） PN结加正向电压（PN结正偏）P型和N型半导体结合在一起后如何形成PN结？PN结正偏后→内电势降低→有利多子扩散→载流子从电源获得补充→产生较大正向电流→PN结导电PN结加反向电压（PN结反偏）内外电场方向相同，空间电荷区变得更加宽，多子根本无法扩散，只有少子在电场力作用下的产生漂移运动，PN结流过极小的电流，PN结不导电。PN结的单向导电性：正偏导电，反偏截止（不导电）。PN结特性特性曲线数学模型主要特性单向导电特性半导体二极管电路大信号模型理想开关模型恒定压降模型小信号模型（动态模型或交流模型）把工作点附近的某一小段特性等效（近似）成一条直线—用一电阻等效二极管电路举例例一、在图示所示的电路中，D1、D2是理想二极管， ，试画出 和 的波形图。解：由于稳压管经电阻接有12V电压，所以稳压管击穿，其二端电压即为6V，D2始终不导电，D1只有在 大于6V后导电，一经D1导电，输出 就是6V电压。波形如图。例二、图示电路是一个双向限幅电路，设二极管为理想元件，输入电压从0V变化至100V，试画出电路的电压转输特性（ 曲线）。 因此，当D1截止，D2导电，解：设D1、D2均导电，则可写出两个回路方程：可见，D1导电的条件是：D2导电的条件是： 当D1导电，D2截止，其中当 D1、D2均导电，所以，电压传输特性如图：半导体三极管电路两个PN结的一种半导体器件NPN结构PNP结构要有电流放大作用时，对器件结构等的要求E区面积大，多子浓度最高；C区面积最大，多子浓度最低；B区小而窄，多子浓度较低。工艺结构要求：对二个PN结的偏置要求：发射结（ ）正向偏置，集电集反向偏置（ ）各电集间的电流关系—以基极电流 为输入，集电极电流 为输出时：其中基极开路时，流过CE间电流—穿透电流射极开路时，流过CB间电流—反向饱和电流晶体三极管的输入/输出特性输出特性曲线输入特性曲线⑴ 截止工作状态电路偏置等效电路条件：发射结（ ）反向偏置，集电结（ ）反向偏置晶体三极管的四种工作状态及等效模型电路中的电流、电压电路偏置等效电路⑵ 放大工作状态电路偏置等效电路条件：发射结（ ）正向偏置，集电结（ ）反向偏置电路中的电流、电压晶体管等效成一个授控源（CCCS）电路偏置等效电路IBS是三极管饱和基极电流，在下面讲。条件：发射结（ ）正向偏置，集电结（ ）正式向偏置⑶ 饱和工作状态电路偏置等效电路注意：晶体三极管饱和时的机理？电路中的电流、电压电路偏置等效电路C极和E极互换后偏置在放大时的工作状态⑷ 倒置工作状态这时由于集电区多子浓度低，发射电子能力低，所以，此时的电流放大系数放大电路中的输入、输出以及公共电极分别取自三极管B、C、E中的哪个电极。放大电路的三种组态连接（三种连接方式）共射放大电路（CE）共集放大电路 （CC）共基放大电路 （CB）组成放大电路的基本原则必须保证晶体管工作在放大状态（ 正偏， 反偏 ），信号能顺畅地传输。用共射放大电路为例加以说明：直流通路—反映直流工=0时，电路变为作情况（也称静态）—求放大器的静态工作点放大器直流通路交流通路—如何画交流通路？直流电源短路，耦合电容短路，其它元器件不变。其中静态静态动态动态近似估算法—常用放大电路分析图解法—不常用例放大电路如图，令晶体管试画出直流通路，求出静态工作点；画出交流通路，说明电路是何种组态的放大电路。近似估算法求解直流电路中的电压和电流画直流通路⑴ 静态分析戴维南定律等效法近似估算法两种方法之间的误差在工程上是完全允许的，所以电子技术上常用估算法处理。图解法:令已知晶体管的输入和输出特性，而 未知。输入回路负载方程戴维南等效后将它作在输入特性曲线上，决定输入Q点。求得：输出回路负载方程将它作在输出特性曲线上，决定静态Q点。求得：由坐标得：求解放大电路的技术指标（动态）画交流通路⑵ 动态分析如何画法？其中场效应管—FET是一种电压控制电流的半导体器件，有结型和绝缘栅两种。结型场