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3.4扩散与离子注入 掺杂工艺扩散:利用原子在高温下（900-1200℃） 的扩散运动，杂质原子从浓度很高 的杂质源向低浓度区扩散并形成一 定的分布。离子注入 ：电离的杂质离子经几十至几百千伏的电压下进行加速，在获得较高速度后注入半导体内。3.4.1 扩散（70年代初期）1. 扩散机理材料 A材料 A材料 A材料 B材料 B材料 B恒定的表面浓度：杂质为气相源 杂质蒸汽（800℃～925℃）→硅表面→扩散到硅片内恒定的总掺杂剂量： 首先在硅表面形成薄杂质层→扩散到硅片内横向扩散扩散应用于 n-sub p-sub 掺杂扩散特点：（1）掺杂浓度不能超过半导体的固浓度。（2）较难得到轻微的杂质分布（3）横向扩散大约达到结深度80％的距离。使得最后的扩 散区尺寸超过窗口尺寸。（4） 900-1200℃高温下进行PSUBn+Substrate扩散2. 扩散设备与扩散源扩散设备：扩散炉扩散源： 气态、液态——运输方便，纯度高 固态立式扩散炉液态源：磷扩散掺杂液态源N2→POCl3液瓶→ POCl3气泡 O2石英管内反应4POCl3+ 3O2→2P2O5+6ClP2O5+ Si→4P+5SiO2 (还原反应)易挥发的固态源 固态源气态源加工材料气态源液态源固态源（易挥发的氧化物或其他化合物）AsAsH3、 AsF3砷玻璃AlAsO4PPH3、 PF3POCl3BB2H6、BF3、 BCl3BBr3 BNSbSbH3SbCl3Sb2O33. 准确控制浓度和深度 扩散浓度一方面决定于源的情况，当源足量时则决定于温度，因为杂质的固溶度决定杂质在半导体表面的浓度。 扩散深度取决于扩散系数D和扩散时间tD=Doe-E/kT对于一定杂质在特定固体中激活能E和Do是一定的，所以D与T是指数上升关系。为了精确控制深度,精确控制温度(＜±0.5℃)十分重要。4. 扩散的测量技术扩散层的结深：化学染色后磨斜角（HF） 条纹干涉方块电阻：探针技术杂质分布：C-V法扩散结果3.4.2 离子注入（70年代后）（1）高温（2）不能超过杂质的固浓度（3）较难得到轻微的杂质分布（4）横向扩散扩散离子注入：电离的杂质离子经静电场（5 - 200 keV) 加速注入半导体内。低温没有横向扩散掺杂剂量可以控制注入的深度可以控制使扩散atomsIonE 1. 离子注入过程 a 离子碰撞如果入射离子的速度方向与固体表面的夹角大于某一临界角，它将能够进入固体表面层，与固体中的原子发生一系列的弹性和非弹性碰撞，并不断地损失其能量。当入射离子的能量损失到某一定的值（ 约为20eV左右 ) 时，将停止在固体中不再运动。上述过程被称为离子注入过程。 反弹离子溅射二次电子反弹注入溅射原子 二次电子发射离子注入到晶圆内原子经加速的离子碰撞晶圆靶面足够的重离子进入靶内，与原子和电子发生碰撞原子电子弹性碰撞非弹性碰撞原子从晶格中脱离产生溅射现象电子被激发到高能级，一段时间后回到基态二次电子发射晶格热振动使靶温度↑能量以光波形式释放 注入离子能量减弱，一定深度后停止运动轻离子反弹溅射现象 当运动的原子运动到固体表面时，如果其能量大于表面的势垒，它将克服表面的束缚而飞出表面层，这就是溅射现象。溅射出来的粒子除了是原子外，也可以是原子团。溅射出来的原子进入鞘层后，与鞘层内的离子碰撞后将发生电离，形成新的离子。溅射原子或原子团也可以穿过鞘层进入等离子体，并捕获等离子体中的电子，形成带负电的粒子或粒子团，通常称为“尘埃粒子”。尘埃粒子的存在将造成对等离子体的污染，这对采用等离子体技术制备高质量的薄膜材料是非常有害的。二次电子离子靶原子二次电子发射 当固体表面受到载能粒子轰击时，产生电子从表面发射出来的现象被称为二次电子发射。每入射一个载能粒子所发射出来的电子数称为二次电子发射系数。一般地，离子、电子、中性原子或分子与固体表面碰撞时，均可以产生二次电子发射。在PSII技术中，由于对基体施加较高的负偏高压，将有大量的二次电子从基体表面上发射出来。这些二次电子的出现，一方面改变了鞘层电位的大小和分布，另一方面它们经鞘层电场加速后，以较高的速度撞击到器壁表面，产生较强的X射线，这对人体的健康是非常有害的。通过控制电学条件（电流、电压），离子注入可精确控制浓度和深度；不受材料固溶度限制；横向扩散小；选用一种离子注入，不免混入杂质。离子注入可进行MOS 源、漏区掺杂AB b 通道效应注入离子→有周期性排列固定晶体结构的Si中，如果注入路径在不受Si原子阻挡的方向→碰撞不会发生，注入离子长驱直入到硅晶圆很深的地方→通道效应通道效应的结果使离子注入深度难控制离子注入通道效应abc抑制通道效应的方法：a. 把晶片对离子注入的方向倾斜一个角度（0-15°)b. 在结晶硅的表面铺一层非结晶系材质SiO2，使注入离