沈阳工业大学半导体物理教学.pptxVIP

§2. 半导体中杂质和缺陷能级 杂质、缺陷破坏了晶体原有的周期性势场，引入新的能级。通常在禁带中分布的能级就是这样产生的。 禁带中的能级对半导体的性能有显著影响，影响的程度由能级的密度和位置决定。沈阳工业大学电子科学与技术系§2.1 硅、锗晶体中的杂质能级学习重点： 浅能级杂质、深能级杂质 杂质补偿沈阳工业大学电子科学与技术系1、杂质与杂质能级（1）杂质 半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。（2）杂质来源 无意掺入 有意掺入（3）杂质在半导体中的分布状况 替位式杂质 间隙式杂质 杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏。（4）杂质能级 杂质引起的电子能级称为杂质能级。通常位于禁带之中的杂质能级对半导体性能有显著影响。ECEg杂质能级EV2、施主能级（1）施主杂质 杂质电离后能够施放电子而产生自由电子并形成正电中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。以硅为例：在硅单晶中掺入磷（P）等V族元素。硅原子电离施主导带电子在Si单晶中，V族施主替位杂质的两种荷电状态的价键 (a) 电离态(b) 中性施主态ECEV（2）施主电离 施主能级 施主未电离时，在饱和共价键外还有一个电子被施主杂质所束缚，该束缚态所对应的能级称为施主能级。掺入施主的半导体以电子导电为主，被称为n 型半导体 特征：①施主杂质电离，导带中出现 施主提供的导电电子；②电子浓度大于空穴浓度， 即 n