中南大学数字电子技术.pptxVIP

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  • 2020-02-22 发布于上海
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;二、逻辑赋值;三、高低电平获取方法;2.2 半导体器件的开关特性;2.2.1 二极管的开关特性;2.2.2 动态开关特性;2.2.3 三极管的开关特性;2.2.4 MOS管的开关特性;2.3 分立元件门电路;2.3.2 二极管“或门” ;2.3.3 三极管“非门”;2.4 TTL集成门电路;1)结构 TTL反相器由三部分构成:输入级、中间级和输出级。 ;A为高电平时,VB1≈2.1V ,T1倒置,VB2≈1.4V,T2和T5饱和,T4和D2截止,Y为低电平。 ;2、TTL反相器的电压传输特性;分为四个区段: AB段:UI<0.6伏,截止区;BC段:0.6伏<UI<1.3伏,线性区; CD段:UI≈1.4伏,转折区;DE段:UI>1.4伏,饱和区。;相关参数: 高电平噪声容限VNH, 低电平噪声容限VNL。 ;2.4.1 TTL逻辑门(6);2.4.1 TTL逻辑门(7);2.4.1 TTL逻辑门(8) ;2.4.1 TTL逻辑门(9) ;;2.4.1 TTL逻辑门(11);1)OC门(集电极开路门电路);2.4.1 TTL逻辑门(13)  ;2.4.1 TTL逻辑门(14);2.4.1 TTL逻辑门(15);特殊门电路的应用;双向传输线;2.5 CMOS集成门电路(1);2、COMS反相器的电压传输特性;2.5 CMOS集成门电路(3);2)电流转输特性;

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