场效应晶体管全面解析.pptxVIP

线性电子电路第三章 场效应管主要内容3.0 概述3.1 场效应管的工作原理3.2 场效应管特性曲线3.3场效应管的使用注意事项3.4场效应管的等效电路3.5场效应管电路的分析方法第三章 场效应管3.0 概 述 场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单，器件特性便于控制，是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。场效应管与三极管主要区别： 场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。 场效应管是单极型器件（三极管是双极型器件）。 场效应管受温度的影响小（只有多子漂移运动形成电流）N沟道N沟道N沟道耗尽型（DMOS）P沟道P沟道P沟道MOSFET（按工作方式不同）绝缘栅型场效应管MOSFET结型场效应管JFET增强型（EMOS）第三章 场效应管一、场效应管的种类按结构不同分为 沟道：指载流子流通的渠道、路径。N沟道是指以N型材料构成的区域作为载流子流通的路径；P沟道指以P型材料构成的区域作为载流子流通的路径。DDGGDNPDGG++++SPNNPSSSN沟道JFETP沟道JFET第三章 场效应管二、场效应管的结构示意图及其电路符号 JFET结构示意图及电路符号返回SGDDIDUSGDUUIDGN沟道DMOSPSNDVGS=0时，导电沟道已存在++++++PPNNPNUGP沟道DMOSS第三章 场效应管耗尽型场管的结构示意图及其电路符号 DMOS管结构返回SGDUDDN++++++NNPPNPUUSGDGGUSSP第三章 场效应管增强型场管的结构示意图及其电路符号返回DDDDIDIDIDIDUUUUGGGGSSSSNEMOSNDMOSPEMOSPDMOSDDGGSS第三章 场效应管场效应管的电路符号结型场效应管JFETMOS场效应管MOSFET返回总结第三章 场效应管总结： 场效应管的电路符号可知：无论是JFET或是MOSFET，它都有三个电极：栅极G、源极S、漏极D。它们与三极管的三个电极一一对应（其实它们之间的对应关系除了电极有对应关系外，由它们构成的电路的特性也有对应关系，这些我们在第四再给大家讲） ： G---B S---E D----C N沟道管子箭头是指向沟道的，而P沟道管子的箭头是背离沟道的。返回第三章 场效应管3.1 场效应管的工作原理 JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应来控制电流，即都是利用改变栅源电压vGS，来改变导电沟道的宽度和高度，从而改变沟道电阻，最终达到对漏极电流iD 的控制作用。不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。(下面我们以N沟道JFET、N沟道增强型为例进行分析） 返回DG+ -NVDS + VGS++PPS第三章 场效应管3.1.1 JFET管工作原理 N沟道JFET管外部工作条件VGS 0 (保证栅源PN结反偏)PN结反偏才能有效控制导电沟道的宽度和高度，从而才能有效控制电流。 VDS 0 (保证栅漏PN结反偏)VGS对沟道宽度的影响VDS对沟道宽度的影响返回D|VGS | ?G阻挡层宽度?N + VGSN型沟道宽度?沟道电阻Ron?S++PP使VGS =VGS (off)夹断电压若|VGS | 继续?沟道全夹断第三章 场效应管 VGS对沟道宽度的影响若VDS=0返回DG+-NVDS +VGSS++PP第三章 场效应管 VDS对沟道的控制（假设VGS 一定）由图 VGD = VGS - VDS VDS很小时 → VGD ?VGS此时W近似不变即Ron不变因此 VDS?→ID线性 ? 若VDS ?→则VGD ?→近漏端沟道? → Ron增大。此时 Ron ?→ID ?变慢VDS对沟道宽度的影响ADDAGG+-+-NNVDSVDS + +VGSVGSSS++++PPPP第三章 场效应管 当VDS增加到使VGD ?=VGS(off)时 → A点出现预夹断 若VDS 继续?→A点下移→出现夹断区此时 VAS =VAG +VGS =-VGS(off) +VGS （恒定）， VDS 的增加主要加在D、A之间形成很强的电场，由S向D行进的多子越过耗尽区到达漏极形成电流若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l 不变（即Ron不变）。因此预夹断后：VDS ? →ID 基本维持不变。 返回VDS- +VGS- + +++PNN栅?衬之间相当于以SiO2为介质的平板电容器。SGDUP第三章 场效应管 N沟道EMOS管工作原理 N沟道EMOS管外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏PN结反偏)。 U接电路最低电位或与S极相连(保证源衬PN结反偏)。 VGS 0 (形成导电沟道)增强型管子沟道形成原理VDS =0VGS?VGS反型层- +衬底表面层中负离子?、电子?+++形成空间电荷区并与PN结相通NPNSGD