半导体磁敏传感器讲解.pptxVIP

第九章 半导体磁敏 传感器;简 介;9.1.1 霍尔效应;所以，霍尔电压UH可表示为 UH = EH b = vBb (9-3);流过霍尔元件的电流为 I = dQ / dt = bdvnq 得： v =I / nqbd (9-4) ;;9.1.2 霍尔元件的构造及测量电路;1 构 造;霍尔片是一块半导体单晶薄片(一般为4mm×2mm×0.1mm)，它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，通常用红色导线，其焊接处称为控制电极；在它的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线，其焊接处称为霍尔电极。霍尔元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。目前最常用的霍尔元件材料有锗(Ge)、硅(Si)、锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)等半导体材料。;2 测量电路;9.1.3 霍尔元件的主要特征参数;4.不平衡电势U0和不等位电阻r0 在额定控制电流I下，不加磁场时霍尔电极 间的空载霍尔电势。不等位电势与额定激励 电流之比称为不等位电阻ro;5.霍尔温度系数α 在一定的磁感应强度和控制电流下，温度变化1°C时，霍尔电势变化的百分率。;9.1.4 霍尔元件的测量误差和补偿;几