微电子工艺双极.pptxVIP

思考题1.与分立器件工艺有什么不同？2.埋层的作用是什么？3.需要几块光刻掩膜版(mask)?4.每块掩膜版的作用是什么？5.器件之间是如何隔离的？6.器件的电极是如何引出的？1.衬底准备2.第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻 P-Sub?氧化?光刻n+埋层区衬底准备（P型）?清洁表面?n+埋层区注入3.外延层淀积4.第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻N-N-N+N+P-Sub?隔离氧化?生长n-外延?光刻p+隔离区?p+隔离注入?p+隔离推进P+P+P+N-N-N+N+P-Sub5.第三次光刻——P型基区扩散孔光刻?硼扩散?光刻硼扩散区PPP+P+P+N-N-N+N+P-Sub6.第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻氧化?光刻磷扩散区?磷扩散PPP+P+P+N-N-N+N+P-Sub7.第五次光刻——引线接触孔光刻 氧化?光刻引线孔?清洁表面PPP+P+P+N-N-N+N+P-Sub8.第六次光刻——金属化内连线光刻 ?反刻金属?蒸镀金属ALSiO2N+BCEPP+P+N-epiN+-BLP-SUBNPN晶体管剖面图Epitaxial layer 外延层Buried Layer钝化层CEBBEBCSiO2N+N+N+N+PPP+P+P+光刻胶N–-epiN–-epiSiO2P-SubN+埋层埋层的作用1.减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长）2