半导体中的杂质和缺陷分解.pptxVIP

第二章 半导体中的杂质和缺陷杂质半导体与杂质电离： 介绍硅、锗中的浅能级杂质以及杂质能级，浅能级杂质电离能的计算，并介绍杂质的补偿作用。介绍III-V族化合物中的杂质能级，引入等电子陷阱、等电子络合物以及两性杂质的概念。实际的半导体晶格为不完美晶格：原子在平衡位置作振动、材料不纯净含有其它非组分元素、晶体结构不完整等。由于杂质和缺陷的存在，会使严格按照周期性排列的原子所产生的周期性势场受到扰乱，因而杂质的电子不可能处于正常的导带和价带中，而是在禁带中引入允许电子具有的能量状态（等高的分立能级），即在禁带中引入杂质能级，以至于影响半导体材料的性质。III、V族杂质在硅、锗晶体中可处于束缚态和电离后的离化态，其电离能很小，引入的是浅能级，这些杂质称为浅能级杂质。根据杂质能级在禁带中的位置，将杂质分为：浅能级杂质→ 杂质能级接近导带底Ec 或价带顶Ev深能级杂质→ 杂质能级远离导带底Ec 或价带顶Ev§2-1 半导体中的浅能级杂质和缺陷一、杂质存在的方式和缺陷类型1. 存在方式（1）间隙式 杂质位于组成半导体的元素或离子的格点之间的间隙位置，其原子半径较小 金刚石结构中，一个晶胞内的原子占晶体原胞的34％，空隙占66％。例如Li、H（2） 替位式 →杂质占据格点的位置，取代晶格原子。要求杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近并且价电子壳层结构比较相近。例如，Si：r =0.1