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Q/TDG
天通控股股份有限公司 企业 标准
Q/TDG 41—2019
智能手机滤波器用6 英寸钽酸锂晶片
2019-12-18 发布 2019-12-20 发布
天通控股股份有限公司 发 布
Q/TDG 41—2019
前 言
本标准编写遵循了GB/T 1.1—2009 《标准化工作导则第1 部分:标准的结构和编写》等有关规定。
本标准由天通控股股份有限公司提出。
本标准起草单位:天通控股股份有限公司。
本标准主要起草人:徐秋峰、唐杰。
本标准于2019 年12 月首次发布。
I
Q/TDG 41—2019
智能手机滤波器用6 英寸钽酸锂晶片
1 范围
本标准规定了智能手机滤波器用6 英寸钽酸锂晶片(以下简称晶片)的要求、试验方法、检验规则、
标志和合同内容。
2 规范性引用文件
下列文件对本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。
凡不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1031 表面粗糙度参数及其数值
GB/T 1410 固体绝缘材料体积电阻率和表面电阻率试验方法
GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 30118-2013 声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法
3 要求
3.1 化学组成
LiTaO3 。
3.2 结晶完整性
要求在有效直径范围内都是单晶。
3.3 晶向定向精度
晶向定向精度应符合表1 的规定。
表1 晶向定向精度
项目 指标
晶向定向精度 Y42°±0.20°
3.4 外形尺寸及偏差
外形尺寸及偏差应符合表2 的规定。
表2 外形尺寸与偏差
项目参数 尺寸
直径(mm) 150.0±0.2
OF(mm) 47.5±2
1
Q/TDG 35—2018
表2 (续)
项目参数 尺寸
SOF(mm) 14.0±2.0
厚度(mm) (0.2~0.35)±0.05
3.5 表面缺陷
表面缺陷的最大允许值应符合表3 的规定。
表 3
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