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本科毕业论文（设计）外文翻译 外文翻译： 应用于功率放大器的过压保护电路 原文来源：Electronics, Circuits and Systems．15th IEEE International Conference ,2008． ICECS 2008:161-164 译文正文： 摘要 随着移动通信设备对更高集成度和更低成本的需求的增加，使用 CMOS 功率放大器来代替 GaAs 或者 SiGe 功率放大器的趋势越来越大。虽然目前 CMOS 价格相对比较低廉，但是其射频性能存在 劣势，而且还有低的击穿电压。这个问题特别体现在 PA 的输出级，当负载不匹配是，导致高电压 驻波比（VSWR）并在 PA 输出高峰峰值电压。本文在 0.13mm CMOS 工艺下设计了一个 27dBm PA，包 括 VSWR 保护电路。一个控制回路检测在 PA 输出端的高电压振幅尖峰以降低 PA 的增益，从而降低 输出电压摆幅达到理想值。 1、引言 功率放大器是每个射频发射机的最重要部分之一。大多数功率放大器是基于 SiGe 或 GaAs 工艺 技术，而收发器和基带电路更加倾向于使用低成本的标准 CMOS 技术。CMOS PA 可以使得整个完整 的无线电系统集成在单个芯片中，这对于成本和面积的减少是相当可观的。虽然 CMOS PA 的设计是 一个非常大的挑战，但是现代深亚微米 CMOS 工艺的性能接近