Q_Q12JD 5667-2019塑封高压硅堆 详细规范.pdf

L43 天津环鑫科技发展有限公司企业产品标准 Q/12JD 5667—2019 代替 Q/12JD 5667-2016 2CLG0203～2CLG0218 及2CLG1015 型 塑封高压硅堆 详细规范 2019 - 11 - 30 发布 2019 - 11 - 30 实施 天津环鑫科技发展有限公司 发 布 Q/12JD 5667-2019 前 言 本标准等效采用国家标准 GB/T 6351-1998 《半导体器件分立器件 第 2 部分:整流二极管 第一篇 100A 以下环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）空白详细规范》（国际电工委员会标准 IEC 60747-2-1），产 品的电参数按用户的需要而设计。 本标准在编写格式上按照国家标准空白详细规范的要求。 本标准由天津环鑫科技发展有限公司提出。 本标准起草单位：天津环鑫科技发展有限公司 本标准主要起草人：杨玉聪、梁效峰 本标准代替 Q/12JD 5667-2007、Q/12JD 5668-2007、Q/12JD 5667-2010、Q/12JD 5667-2013、 Q/12JD 5667-2016。 I Q/12JD 5667-2019 2CLG0203～2CLG0218 及2CLG1015 型塑封高压硅堆详细规范 天津环鑫科技发展有限公司 评定器件质量的根据 GB/T 4589.1—2006 《半导体器件第 10 部分: 分立器 Q/12JD 5667-2019 件和集成电路总规范》 GB/T 12560—1999 《半导体器件分立器件分规范》 2CLG0203～2CLG0218 及2CLG1015 型塑封高压硅堆详细规范 订货资料见本规范第7 章 1 机械说明 外形尺寸图1。印记说明见表1。 单位： mm 2 简略说明 100A 以下环境额定整流二极管 半导体材料：硅 封装：非空腔、塑封、轴向引线 应用：在彩色激光复印机、高压电源中 用 3 质量评定类别 Ⅱ类 1 Q/12JD 5667-2019 表