模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行--第一章.pptVIP

1.3.5　PNP 型三极管 　　放大原理与 NPN 型基本相同，但为了保证发射结正偏，集电结反偏，外加电源的极性与 NPN 正好相反。 图 1.3.13　三极管外加电源的极性 (a) NPN 型 VCC VBB RC Rb ~ N N P + ? ? + uo ui (b) PNP 型 VCC VBB RC Rb ~ + ? ? + uo ui 1.2.5　稳压管 　　一种特殊的面接触型半导体硅二极管。 　　稳压管工作于反向击穿区。 I/mA U/V O + ? 正向 ? + 反向 ?U (b)稳压管符号 (a)稳压管伏安特性 + ?I 图 1.2.10　稳压管的伏安特性和符号 稳压管的参数主要有以下几项： 1. 稳定电压 UZ 3. 动态电阻 rZ 2. 稳定电流 IZ 稳压管工作在反向击穿区时的稳定工作电压。 正常工作的参考电流。I IZ 时 ，管子的稳压性能差； I IZ ，只要不超过额定功耗即可。 　　rZ 愈小愈好。对于同一个稳压管，工作电流愈大， rZ 值愈小。 IZ = 5 mA rZ ? 16 ? IZ = 20 mA rZ ? 3 ? IZ/mA 4. 电压温度系数 ?U 稳压管的参数主要有以下几项： 　　稳压管电流不变时，环境温度每变化 1 ℃ 引起稳定电压变化的百分比。 　　(1) UZ 7 V, ?U 0；UZ 4 V，?U 0； 　 (2) UZ 在 4 ~ 7 V 之间，?U 值比较小，性能比较稳定。 　 2CW17：UZ = 9 ~ 10.5 V，?U = 0.09 %/℃ 　　2CW11：UZ = 3.2 ~ 4.5 V，?U = -(0.05 ~ 0.03)%/℃ 　　(3) 2DW7 系列为温度补偿稳压管，用于电子设备的精密稳压源中。 2DW7 系列稳压管结构 (a)2DW7 稳压管外形图 (b)内部结构示意图 　　管子内部包括两个温度系数相反的二极管对接在一起。 　　温度变化时，一个二极管被反向偏置，温度系数为正值；而另一个二极管被正向偏置，温度系数为负值，二者互相补偿，使 1、2 两端之间的电压随温度的变化很小。例： 2DW7C，?U = 0.005 %/℃ 图 1.2.12　2DW7 稳压管 5. 额定功耗 PZ 　　额定功率决定于稳压管允许的温升。 PZ = UZIZ PZ 会转化为热能，使稳压管发热。 电工手册中给出 IZM，IZM = PZ/UZ 　　[例] 求通过稳压管的电流 IZ 等于多少？R 是限流电阻，其值是否合适？ IZ VDZ +20 V R = 1.6 k? + UZ = 12 V - IZM = 18 mA 例题电路图 IZ IZM ，电阻值合适。 [解] VDZ R 使用稳压管需要注意的几个问题： 图 1.2.13　稳压管电路 UO IO + IZ IR UI + 　　1. 外加电源的正极接管子的 N 区，电源的负极接 P 区，保证管子工作在反向击穿区； RL 　　2. 稳压管应与负载电阻 RL 并联； 　　3. 必须限制流过稳压管的电流 IZ，不能超过规定值，以免因过热而烧毁管子。 1.3　双极型三极管(BJT) 　　又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。 (Bipolar Junction Transistor) 三极管的外形如下图所示。 　　三极管有两种类型：NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。 图 1.3.1　三极管的外形 1.3.1　三极管的结构 　　常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 图1.3.2　三极管的结构 (a)平面型(NPN) (b)合金型(PNP) N e c N P b 二氧化硅 b e c P N P e 发射极，b基极，c 集电极。 平面型(NPN)三极管制作工艺 N c SiO2 b 硼杂质扩散 e P N 　　在 N 型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成 P 型(基区)，再在 P 型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。 　　合金型三极管制作工艺：在 N 型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与 N 型锗接触，冷却后形成两个 P 型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。 图 1.3.3　三极管结构示意图和符号　　(a)NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 1.3.3　三极管结构示意图和符号　　(b)PNP