电路图设计项目2.pptVIP

制备P型阱 制备有源区 P型场注入 制备耗尽型MOS管 制备多晶栅 制备MOS管的源漏区 制备接触孔 项目2 PMOS、NMOS版图设计 2.1.1 设计任务 1. PMOS和NMOS版图设计样图 a） PMOS晶体管 b） NMOS晶体管 2. 版图的基本尺寸关系 版图与制版 什么是版图？版图是设计与工艺制造之间的连接，也可以说是要根据理论示意性电路图，定义出真实电路结构的布线，最终将定义出来的真实电路结构布线制作成电子产品中的真实芯片。 版图的设计方法 版图的设计方法从自动化程度的角度来分，大致可以分为三类： 1）计算机辅助设计。 2）自动化设计。 3）人工设计。 人工版图设计典型过程图 2.1.4 集成电路工艺介绍 主要工艺流程： 硅单晶片的制造—外延层的生长—硅的氧化——掩摸版的制备—光刻—掺杂—多晶硅的淀积—金属层的形成 硅单晶片的制备 集成电路的制造离不开衬底材料——单晶硅。制备单晶硅的方法主要有两种：悬浮区熔法和直拉法。 硅单晶片的制备 硅单晶生长炉 单晶硅棒 光刻与刻蚀工艺 光刻是将电路/器件图形转移到半导体的表面形成光刻胶图形，是复印图像和化学作用相结合的综合性技术。光刻次数越多，就意味着工艺越复杂；光刻所能加工的线条越细，就意味着工艺线水平越高。 光刻过程如下： （1）预处理 （2）旋涂光刻胶 （3）前烘 （4）对准曝光 （5）后烘、显影 （6）坚膜 （7）刻蚀 （8）去胶 光刻胶有正胶和负胶之分，正胶是指光刻胶经过紫外线照射后能够溶于显影液中，没有经过紫外线照射的部分在显影时不溶解；负胶是指未经过紫外线照射的部分能溶于显影液中，而经过紫外线照射的部分在显影时不溶解。 掺杂工艺 掺杂技术作为一项重要的技术，被广泛应用于IC生产中。半导体的掺杂技术主要有扩散工艺和离子注入两种形式。掺杂是指将需要的杂质掺入特定的半导体区域中，以改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触等。通过掺杂可以在硅衬底上形成不同类型的半导体区域，构成各种器件结构。 （1）扩散　扩散技术长期以来广泛地应用在晶体管和集成电路生产中。扩散技术利用物质在热运动下，会从浓度高处的向浓度低的地方运动，并最终趋于稳定分布。 （2）离子注入　随着VLSI的发展，器件尺寸不断减小，掺杂技术的要求更高，离子注入技术很好地发挥它的优势。离子注入掺杂分为两个步骤：离子注入和退火再分布。 制膜 （1）SiO2硅的氧化　SiO2是一种十分理想的电绝缘材料，它的化学性质非常稳定，硅它与含有氧化物质的气体在高温下发生化学反应而产生一层致密的二氧化硅薄膜。 （2）SiO2的制备方法 1）热氧化法 2）化学气相淀积 3）外延生长法 4）物理汽相淀积 集成电路封装 封装的作用 封装是集成电路制造中的一项关键工艺。封装是芯片所生产电路的保护层，可避免由环境和传递引起损坏，为信号的输入和输出提供互连。 封装的要求 1）对芯片起着环境保护作用，封装后使芯片不受外界因素的影响而损坏，不因外部条件变化而影响芯片的正常工作。 2）对芯片起着传输信号和分配电源的作用。 3）对芯片起着热耗散的作用，从而保证芯片温度保持在最高温度之下。 4）使芯片与外部系统实现可靠的信号传输，保持信号的完整性。 封装类型 封装分为双列直插式封装（Dual In-line Package，DIP）和表面安装式封装两大类 DIP封装具有以下特点： 1）适合在PCB上穿孔焊接，操作方便。 2）芯片面积与封装面积之间的比值较大。 3）比薄型小尺寸封装（Thin Small Outline Package，TSOP）易于对PCB布线。 4）操作方便。 版图中的绘图层 版图中的绘图层 N阱层 “N阱”就是在P型衬底上扩散N型区，用来确定N型衬底的区域。 有源区层 有源区确定了晶体管的源区和漏区建立的区域，通过多晶硅两旁的的有源区来确定的源区和漏区。 P型注入掩膜和N型注入掩膜 MOS晶体管有源区是通过将N型杂质离子注入到N型选择层和将P型杂质离子注入到P型选择层（即掩膜定义的衬底区域）中形成的。 引线孔和通孔 引线孔包括有源区引线孔（Active Contact）和多晶硅引线孔（Poly Contact）。有源区引线孔用来连接第一层金属和N型选择层或P型选择层区域。 金属层 金属层在集成电路芯片中起互连的作用。金属层越多表示一个集成电路芯片越复杂，由于芯片面积的约束，器件之间的互连依靠单层金属很难完成，这就要求增加金属的层数。不同的金属层之间用绝缘层来进行隔离，其互连由通孔来完成。金属层除了起到互连的作用外，还可以用来进行电源线和地线的布线。要注意在布电源线的时候，金属条的宽度通常要大于设计规则