白光LED用红色荧光粉的制备实验.docVIP

白光LED用红色荧光粉的制备实验 2.1材料的制备及表征 2.1.1 Mg7Ga2GeO12: Mn4+荧光粉采用高温固相法合成。原材料为(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O (A.R.)、Ga2O3 (99.9%)、GeO2 (99.9%)和 MnCO3 (A.R.)，使用前没有做进一步的处理。将原料按照正确的化学计量比进行称量，然后研磨均匀（用玛瑙研钵充分研磨），把研磨均匀的混合物转移到氧化铝坩埚中，然后放入马弗炉中，在空气气氛下1400℃烧制10小时后冷却至室温。将烧好的样品取出，在玛瑙研钵中再次研磨均匀。最终可得到目的样品Mg7Ga2GeO12: Mn4+。 2.1.2 样品的物相检测采用Rigaku D/Max-2004型X射线粉末衍射仪（XRD）。吸收光谱用紫外可见分光光度计(Perkin-Elmer Lambda 950)测量，在250-700nm范围内使用并用硫酸钡作为基准。以Xe900（450W氙弧灯）作为光源的FLS-920T荧光光谱仪测试了样品的激发和发射光谱。所有测试均在室温下进行，热猝灭实验用荧光光谱仪(FLS-920T)和加热装置（TAP-02）组合测出。 2.2结果与讨论 2.2.1 结构分析 图2.1显示了基质的结构精修谱图，图中黑色的十字符号和红色的实线分别是实验测定的数据和计算的结果。获得的拟合参数为χ2 = 3.375, Rwp = 10.75% 和Rp = 8.09%，表明了样品Mg7Ga2GeO12是很好的单相样品。精修结果精确的揭示了Mg7Ga2GeO12晶体结构属于正交晶系Cmmm (No.65)，它的晶胞参数为a=5.84771(8)?, b=25.4316(4)? 和 c=2.98092(5)?。Mg7Ga2GeO12基质的更多结构数据在表2.1中给出，同时基质材料中各原子坐标和占位情况在表2.2中给出了。如图2.2所示，给出了Mg7Ga2GeO12晶体结构图以及不同角度下的俯视图，结构数据同精修参数一致。由图所得，Mg7Ga2GeO12晶体结构可以被归属于MgO-Ga2O3-GeO2系统，同时它的晶体结构和简单的尖晶石相相关，可以描述成是岩盐结构和β–Ga2O3类型结构交替生长[14]。 图2.1 Mg7Ga2GeO12基质的XRD精修谱图 表2.1 Mg7Ga2GeO12基质的精修数据和晶体参数 表2.2 Mg7Ga2GeO12基质的精修数据所得的各原子参数 图2.2 Mg7Ga2GeO12晶体结构及不同视角下的俯视图 如图2.2和表2.3显示，基质Mg7Ga2GeO12具有四中不同类型的阳离子格位，可以被外来的阳离子所占据，类型Ⅰ是Mg2+的MgO6 八面体；类型Ⅱ是Ga3+的GaO6 八面体；类型Ⅲ是Ga3+的GaO4 四面体；类型Ⅳ是Ge4+的GeO4 四面体。在这个晶体结构和中存在的四种格位都可以被Mn4+离子占据，而在Mg7Ga2GeO12基质中Mg2+ (Ⅰ), Ga3+ (Ⅱ), Ga3+ (Ⅲ) 和 Ge4+ (Ⅳ) 的离子半径分别为0.72, 0.62, 0.47和0.39?。Mn4+离子在具有四配位和六配位的情况下离子半径分别为0.39和0.53?。因此，基于以上不同配位环境下的阳离子半径分析，表明Mn4+离子均有取代Mg2+ (Ⅰ), Ga3+ (Ⅱ), Ga3+ (Ⅲ) 和 Ge4+ (Ⅳ)格位的机会，更为细致的研究在下面的工作中被研究了。 表2.3 Mg7Ga2GeO12晶体中不同阳离子的离子半径、键长及配位情况 表2.4 掺杂不同的Mn4+离子浓度的样品的精修参数 为了更好的分辨Mn4+离子在Mg7Ga2GeO12晶体结构中占据Mg2+ (Ⅰ), Ga3+ (Ⅱ), Ga3+ (Ⅲ) 和 Ge4+ (Ⅳ) 哪一个各位，我们做了一系列的实验，我们合成了Mg7Ga2GeO12:xMn4+ (x=0, 1 and 10mol%)三个样品，同时根据XRD数据分别对三个样品进行了结构精修。我们想知道样品随着Mn4+掺杂浓度的增加会发生什么样的变化。因此，我们忽视了Mn4+离子占据后的原始的参数，仅仅根据Mg7Ga2GeO12:xMn4+ (x=0, 1和10mol%)样品的XRD原始数据对Mg7Ga2GeO12的结构进行了精修。Mg7Ga2GeO12:xMn4+ (x=0, 1 and 10mol%) 样品最终的精修后所得的晶胞参数如表2.4所示。我们可以很清晰的看到，随着样品中Mn4+ 离子掺杂的浓度的提高，晶胞体积有略微的减小。这暗示了Mn4+可能取代了Mg7Ga2GeO12晶格中离子半径较大的Mg2+ (Ⅰ), Ga3+ (Ⅱ)格位，同时离子半径较小的Ga3+ (Ⅲ) 和 Ge4+ (Ⅳ)格位被取代的可能性被排除了。另一方面，我们知道