半导体探测器的发展简介.docxVIP

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  • 2020-03-08 发布于山东
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半导体探测器的发展 1.1半导体探测器的发展 半导体探测器的前身可以认为是晶体计数器。早在19世纪20年代末就有人发现某些电介质(固体)在 \t /_blank 核辐射的作用下会产生电导现象。随着科技的不断发展,相继出现了 \t /_blank 金刚石、CsI等晶体 \t /_blank 计数器。但是,由于无法克服晶体的 \t /_blank 极化效应问题,迄今为止只有金刚石探测器可以达到实用水平。半导体探测器起步比较晚,1949年才有人用α \t /_blank 粒子照射 \t /_blank 锗半导体 \t /_blank 点接触型二极管时发现有 \t /_blank 电脉冲输出。到1958年才出现第一个金硅面垒型探测器[1]。直到60年代初, \t /_blank 锂漂移型探测器的研制成功是 \t /_blank 半导体探测器应用的里程碑,从此 \t /_blank 半导体探测器得到了迅速的发展和广泛的应用。通常使用的半导体探测器主要有以下几种分类见表1.1 表1.1 半导体探测器种类 1.2碲锌镉半导体探测器 1.2.1 历史研究 碲锌镉材料的研究最早开始于上世纪90年代,由于其具有高分辨率的潜质以及可以在室温环境下工作的显著特性,曾经引起了业界的轰动。自那之后,碲锌镉基质探测器几乎没有什么突出的进展。但是2000年一项生长工艺的新进展,使得更大型碲锌镉晶体的生产成为可能。然而,由于晶体内的杂质过多且无法除去,导致其分辨率仍然不理想。近年来,美国布鲁克海文国家实验室(BNL)的科研人员经过几年的不懈努力终于在碲锌镉晶体探测技术方面取得了突破性的进展,该项技术将有可能大大改进远距离探测核辐射物质。该实验室的科研人员使用美国国家同步加速光源对碲锌镉材料进行不断地测试,结果发现以往常常被忽略的碲锌镉晶体内的“死区”造成了晶体结构内出现大量Cd沉积,这是导致γ射线分辨率大大降低的主要原因。美国布鲁克海文国家实验室的科研人员通过不断尝试发现如果想要提高碲锌镉探测器的分辨率,目前可以采用的方法是通过特殊和先进的加工技术发现和去除“死区”,这样才能制作出更大型、更精确、应用领域更广泛的碲锌镉半导体核辐射探测器。 1.2.2 发展方向 目前碲锌镉探测器有多块大体积并行探测器和面元阵列探测器两个重要发展方向。多块大体积并行探测器是由多块碲锌镉晶体阵列组成其晶体体积大约为10mm,这类探测器不仅大大缩短了碲锌镉探测器的测量时间同时也解决了单个探测器体积小造成的总探测效率低的缺点,使碲锌镉探测器更适于便携式谱仪系统。多块大体积并行探测器可应用于环境、港口、铁路货物等的放射性监测[2]。面元阵列探测器毫无疑问是由碲锌镉晶体面元阵列组成。面元阵列探测器非常适合运用于能谱成像,因此面元阵列探测器主要应用于核医学、天体物理等领域的能谱成像。 碲锌镉半导体探测器的发展和使用,使探测高性能光子的高效探测器的制作成为了一种可能,随着高品质碲锌镉半导体晶体制备技术的不断提高以及对载流子收集过程的进一步深入理解和低噪声微电子学的迅速发展,碲锌镉探测器的领域获必将越来越广。 1.2.3 应用领域 红外探测器HgCdTe[3]的外延衬底和室温 \t /_blank 核辐射 \t /_blank 探测器也常常是碲锌镉阵列晶体。碲锌镉阵列晶体是迄今为止制造室温X射线及γ射线探测器最为理想的半导体材料,原因有三点:1、碲锌镉阵列晶体具其他材料无法超越的光电特性,在室温下可以直接将X、γ射线光子转化为光电子。2、碲锌镉晶体能够在室温下正常稳定地工作,并且是能够处理200万光子/(s·mm)的半导体。3、碲锌镉晶体具有极好的分光率,目前市场上的分光镜其分光率也远远不如碲锌镉晶体。因此,碲锌镉探测器被广泛的应用于核安全、环境监测、天体物理以及科学研究等领域[4]。当前,碲锌镉探测器已经成为了科研领域的一颗新星。

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