晶体硅太阳能电池制造工艺.pptVIP

PN结两端的电流 光电池处于零偏时，V＝0，流过PN结的电流I＝－IP ；光电池处于反偏时，流过PN结的电流I ＝－IP - Is ，当光电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。 光电流IP与输出光功率Pi 之间的关系： R 为响应率，R 值随入射光波长的不同而变化，对不同材料制作的光电池R值分别在短波长和长波长处存在一截止波长。 光电池的伏安特性 下图显示了光电池的典型I-V曲线。Pm为最大功率点。它的确定可用从光电池I-V曲线上任意点向纵、横坐标引垂线，垂线与坐标轴保卫面积最大的点即为Pm。根据该特性曲线可以确定光电池的开路电压、短路电流。 ? 太阳电池的短路电流等于其光生电流。决定短路电流的因素很多，分析短路电流的最方便的方法是将太阳光谱划分成许多段，每一段只有很窄的波长范围，并找出每一段光谱所对应的电流，电池的总短路电流是全部光谱段贡献的总和。 负载特性 四、提高太阳能电池效率的途经 在硅太阳能电池的制造历史中已经采用过许多措施来提高太阳能电池的光电转换效率，并且随着能源的不断消耗，高效太阳能的研究正热火朝天地进行。主要针对： 1.降低光电子的表面复合，如降低表面态等； 2.降低入射光的表面反射，用多种太阳光减反射技术，如沉积 减反层、硅片表面织构技术、局部背表面场