第七章晶闸管和场效应管.pptxVIP

7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ;7.1 晶闸管 ; 结构： 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。;工作原理： 与普通晶闸管一样，可以用下图所示的双晶体管模型来分析。 ;（1）设计?2较大，使晶体管VT2控制灵敏，易于GTO关断。 （2）导通时?1+?2更接近1（?1.05，普通晶闸管?1+?2?1.15）,导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 ;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;GTO的驱动电路;7.1 晶闸管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管 ;7.2 场效应管