电子束光刻中邻近效应校正的几种方法.docVIP

第24卷第5期2005年10月 电　子　显　微　学　报 Journal ofChineseElectronMicroscopySociety Vol224,No152005210 文章编号:100026281(2005)0520464205 电子束光刻中邻近效应校正的几种方法 肖　沛,孙　霞 13 ,闫继红,丁泽军 21 (1中国科技大学结构分析重点实验室,物理系,安徽合肥230026;2合肥学院数学与物理系,安徽合肥230026) 摘　要:本文简要介绍了限制电子束光刻分辨率的主要因素之一—邻近效应的产生机制,列举了校正邻近效应的 GHOST法、图形区密集度分布法和掩模图形形状改变法,介绍了每种方法的原理、步骤和效果,比较了它们各自的 优缺点。 关键词:电子束光刻;邻近效应 中图分类号:TN405;TN405198;TN305　　文献标识码:A 　　世界半导体工业正按照Moore规律快速发展,高集成度、超高速集成电路及器件的不断出现,促进了以计算机、网络技术、移动通信技术、多媒体传播等为代表的信息技术的发展。半导体晶体管集成度的不断提高使器件的特征尺寸越来越小,加工尺寸进入百纳米甚至十纳米数量级。纳米器件的研制成为当前世界科学研究急需解决的问题。 ,贡献。术,,此技术即将达到其极限分辨率。研究和开发新的光刻技术势在必行。目前,世界各国所提出的和正在研究的 [1,2] 新一代光刻技术有:电子束直写(EBDW)技术、电子束散射角度限制投影曝光技术(SCALPEL)、极紫外(EUV)反射投影曝光技术、软X射线投影曝光技术、聚焦离子束(FIB)成像技术、离子束投影曝光(IPL)技术。其中电子束曝光分辨率高,一直被看成是器件尺寸缩小到光学曝光不满足要求时的最佳方案,它能产生特征尺寸在100nm以下的图形。 电子束光刻中影响其分辨率的一个重要因素是 [3～5] 邻近效应。实验上为了得到高分辨率的图形经常通过各种方法对邻近效应加以校正。本文简述了邻近效应的产生原理,综述了邻近效应校正的研究现况,介绍了几种校正邻近效应的方法。 到散射使电子偏离原来入射方向,于是原来不应曝光的邻近地方被曝光了,而有些应曝光的区域得不到足够的曝光,引起图形的改变,影响分辨率。 电子在抗蚀剂和衬底中的散射可以按照其被散射的角度分为两类:。散射后的电,反之,1(a)所示。前,产生的影响范围比较小。背90°,影响范围大,能达到几微米如图1(b)所示。另外,来自衬底中的背散射电子会返回到抗蚀剂中,引起抗蚀剂额外的曝光。结果,显影后的抗蚀剂图形尺寸比原来预期的要宽,即引起了邻近效应。 2　邻近效应的校正 邻近效应的存在严重影响了电子束光刻的分辨率,为此常用各种方法对邻近效应加以校正,这里介绍目前使用得比较多的三种主要方法。211　GHOST方法 这种方法最早由Owen和Rissman提出,它是利用掩模中非图形区对电子的散射得到的散焦电子,对图形区进行二次曝光,起到校正邻近效应的作用 [7,8] [6] 。图2是用GHOST方法进行邻近效应校正的 示意图。电子经过掩模的图形区时将直接通过,不受阻挡,这部分电子称为成像电子,成像电子经过设计好的透镜的聚焦到达衬底,在抗蚀剂上刻出初始的图形。然而电子通过掩模的非图形区时将发生散 1　邻近效应产生机制 邻近效应指的是由于电子在抗蚀剂和衬底中受 　收稿日期:2005204225 　基金项目:国家自然科学基金资助项目(No16030600690206009),安徽省自然科学基金(No1050460201).　Foundationitem:NationalNaturalScienceFoundationofChina(No16030600690206009).　作者简介:肖沛(1979-),男(汉族),山东人,硕士.3通讯作者:孙霞(1971-),女(汉族),江苏人,副教授. 第5期肖　沛等:电子束光刻中邻近效应校正的几种方法　　465 图1a:抗蚀剂和衬底中电子的散射示意图;b:前散射和背散射电子在抗蚀剂中沉积能量分布示意图。 Fig11　a:Schematicdiagramfortheelectronscatteringinresistandsubstrate;b:Schematicdiagramforthedepositedenergydistributionof theforwardandbackwardscatteringelectronsinresist. 　 射,在系统内部适当位置增加一些大小合适的限制 孔,使散射电子一部分被阻挡或吸收,另一部分通过孔的散射电子经过透镜后到达衬底时对抗蚀剂进行二次曝光,在适当的条件(如选定孔的位置、孔径等)下可对初始像有校正作用,这部